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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利电路检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115267479B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110474667.5，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权电路检测方法是由曾杰;丁育林设计研发完成，并于2021-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本电路检测方法在说明书摘要公布了：一种电路检测方法，包括：提供待测存储电路；对所述待测存储电路进行第一次老化试验；在所述第一次老化试验后，对所述待测存储电路进行可靠性测试，获取第一最小工作电压Vcc1；对所述待测存储电路进行第二次老化试验；在所述第二次老化试验后，读取第一最小工作电压Vcc1以进行若干次第一循环测试，以获取第二最小工作电压Vcc2，第n次所述第一循环测试的方法包括：当采用第n‑1次第一循环测试的测试电压Vn‑1t1检测待测存储电路的功能不合格时，以第n次第一循环测试的测试电压Vnt1进行检测，其中，n为大于或等于1的自然数，0＜Vcc1≤Vn‑1t1＜Vnt1，且当n＝1时，Vn‑1t1＝Vcc1。通过所述电路检测方法，提高了待测存储电路的最小工作电压的检测效率。

本发明授权电路检测方法在权利要求书中公布了：1.一种电路检测方法，其特征在于，包括： 提供待测存储电路； 对所述待测存储电路进行第一次老化试验； 在所述第一次老化试验后，对所述待测存储电路进行可靠性测试，获取第一最小工作电压Vcc1； 对所述待测存储电路进行第二次老化试验； 在所述第二次老化试验后，读取第一最小工作电压Vcc1以进行若干次第一循环测试，以获取第二最小工作电压Vcc2，其中，第n次所述第一循环测试的方法包括： 当采用第n-1次第一循环测试的测试电压V（n-1）t1检测待测存储电路的功能不合格时，以第n次第一循环测试的测试电压Vnt1进行检测，其中，n为大于或等于1的自然数，0＜Vcc1≤V（n-1）t1＜Vnt1，且当n=1时，V（n-1）t1=Vcc1； 当采用测试电压Vnt1检测待测存储电路的功能合格时，结束第一循环测试，并且，根据测试电压Vnt1获取第二最小工作电压Vcc2； 其中，所述根据测试电压Vnt1获取第二最小工作电压Vcc2，包括：Vcc2=Vnt1；或者，对待测存储电路进行若干次第二循环测试， 其中，第m次所述第二循环测试的方法包括： 当采用第m-1次第二循环测试的测试电压V（m-1）t2检测待测存储电路的功能合格时，采用第m次的测试电压Vmt2进行检测，m为大于或等于1的自然数，Vmt2＜V（m-1）t2≤Vnt1，且当m=1时，V（m-1）t2=Vnt1； 当Vmt2≤V（n-1）t1时，或者，当测试电压Vmt2检测待测存储电路不合格时，结束第二循环测试，并且，获取第二最小工作电压Vcc2=V（m-1）t2。

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