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龙图腾网恭喜苏州腾晖光伏技术有限公司;常熟理工学院申请的专利一种基于钝化接触结构的MWT电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241302B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110445223.9，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权一种基于钝化接触结构的MWT电池及其制备方法是由张树德;刘玉申;倪志春;况亚伟;赵保星;符欣;连维飞设计研发完成，并于2021-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于钝化接触结构的MWT电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于钝化接触结构的MWT电池及其制备方法，MWT电池包括：P型硅基底，形成有贯穿式开孔；正面钝化减反层，形成于所述P型硅基底正面；背面钝化接触层，形成于所述P型硅基底背面；背面介质保护层，层叠并覆盖在所述背面钝化接触层上；电池正极，填充在所述开孔中并穿透所述背面钝化接触层和所述背面介质保护层；以及电池负极，形成于所述背面介质保护层上并穿透所述背面介质保护层与所述背面钝化接触层接触；其中，所述电池正极为铝电极，并且所述P型硅基底与所述铝电极接触的位置处形成有铝掺杂的P+表面场。本发明的MWT电池在硅基底的开孔中实现电荷的收集，无需正面副栅，可以进一步改善MWT电池的光吸收，提高电池转换效率。

本发明授权一种基于钝化接触结构的MWT电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于钝化接触结构的MWT电池，其特征在于，包括： P型硅基底，形成有贯穿式开孔； 正面钝化减反层，形成于所述P型硅基底正面； 背面钝化接触层，形成于所述P型硅基底背面； 背面介质保护层，层叠并覆盖在所述背面钝化接触层上； 电池正极，填充在所述开孔中并穿透所述正面钝化减反层和所述背面介质保护层；以及 电池负极，形成于所述背面介质保护层上并穿透所述背面介质保护层与所述背面钝化接触层接触；其中， 所述电池正极为铝电极，并且所述P型硅基底与所述铝电极接触的位置处形成有铝掺杂的P+表面场；其中， 所述正面钝化减反层为氮化硅层、氮氧化硅层或者氧化铝层中的一种或者几种的叠层；并且 所述背面钝化接触层包括隧穿氧化层和N型多晶硅层，其中，所述隧穿氧化层层叠在所述P型硅基底的背面，所述N型多晶硅层层叠在所述隧穿氧化层上。

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