恭喜硅电子股份公司T·施泰特纳获国家专利权
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龙图腾网恭喜硅电子股份公司申请的专利用于在由半导体材料制成的衬底晶片上沉积外延层的方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115461852B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180031440.1，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权用于在由半导体材料制成的衬底晶片上沉积外延层的方法和装置是由T·施泰特纳;W·埃德迈尔;K·利希滕埃格;H·黑希特设计研发完成，并于2021-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于在由半导体材料制成的衬底晶片上沉积外延层的方法和装置在说明书摘要公布了：一种用于在由半导体材料制成的衬底晶片上沉积外延层的方法和装置。该方法包括：在沉积设备中布置衬底晶片和基座，使得该衬底晶片搁置在该基座上并且该基座由支撑轴的臂保持；监测是否存在该基座关于其相对于围绕该基座的预热环位置的位置的未对准；监测是否存在该支撑轴关于其相对于该预热环位置的位置的未对准；如果出现该未对准中的至少一种，则消除相应的该未对准；以及在该衬底晶片上沉积该外延层。
本发明授权用于在由半导体材料制成的衬底晶片上沉积外延层的方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种用于在半导体材料的衬底晶片1上沉积外延层的方法，其特征在于，该方法包括： 在沉积设备20中布置衬底晶片1和基座2，使得该衬底晶片1搁置在该基座2上并且该基座2由支撑轴9的臂保持； 监测是否存在该基座2关于其相对于围绕该基座2的预热环3位置的位置的未对准； 监测是否存在该支撑轴9关于其相对于该预热环3位置的位置的未对准； 如果出现该未对准中的至少一种，则在不小于450℃的温度下，控制设备21使驱动单元12运动以移动和倾斜该支撑轴9以消除相应的该未对准；以及 在该衬底晶片1上沉积该外延层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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