恭喜台湾积体电路制造股份有限公司陈亭纲获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113270473B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110356993.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置及其形成方法是由陈亭纲;林宛娴;王捷平;黄泰钧;徐志安设计研发完成，并于2021-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其形成方法在说明书摘要公布了：提供一种半导体装置及其形成方法，可以蚀刻栅极堆叠物，以形成延伸穿过栅极堆叠物的沟槽。沟槽移除栅极堆叠物的一部分，以将栅极堆叠物分离为第一栅极堆叠物部分及第二栅极堆叠物部分。沉积介电材料在沟槽中，以形成介电区域。前述介电区域具有在介电材料中的气隙。气隙可以从栅极堆叠物的下方向上延伸到插入在介于第一栅极堆叠物部分的端部与第二栅极堆叠物部分的端部之间的区域。可以形成与第一栅极堆叠物部分的接触物及第二栅极堆叠物部分的接触物，前述接触物通过介电材料及形成在介电材料中的气隙彼此电性隔离。
本发明授权半导体装置及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的形成方法，其包括： 蚀刻一栅极堆叠物，以形成延伸穿过该栅极堆叠物的一沟槽，该栅极堆叠物包括一金属栅极电极、一栅极介电质以及一对栅极间隔物，该沟槽移除该栅极堆叠物的一部分，以使该栅极堆叠物分离为一第一栅极堆叠物部分及一第二栅极堆叠物部分； 延伸该沟槽至在该栅极堆叠物下方的一隔离区域； 沉积一介电材料在该沟槽中，以形成一介电区域，该介电区域具有在该介电材料中的一气隙，该气隙从对应于该隔离区域的一第一深度向上延伸至对应于该第一栅极堆叠物部分的该金属栅极电极的深度的一第二深度； 形成一第一接触物至该第一栅极堆叠物部分的该金属栅极电极； 形成一第二接触物至该第二栅极堆叠物部分的该金属栅极电极，且该第一接触物与该第二接触物为电性隔离；以及 形成一第三接触物至相邻于该第一栅极堆叠物部分设置的一源极漏极区域。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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