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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132657B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110325234.3，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的形成方法是由张庆设计研发完成，并于2021-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，方法包括：基底上形成有层间介质层，层间介质层中形成有栅极开口，栅极开口的侧壁形成有侧墙，侧墙的顶部和侧壁、层间介质层的顶部、以及所述栅极开口的底部形成有栅介质层；形成保形覆盖所述栅介质层的功函数层，第一区域中的功函数层填充于栅极开口中，第二区域中的功函数层覆盖栅介质层的侧壁和底部；在功函数层顶部形成栅电极材料层；在第二区域的栅电极材料层顶部形成牺牲层，第二区域的牺牲层顶部与第一区域的栅电极材料层顶部齐平；去除高于功函数层顶部的栅电极材料层和牺牲层，位于第二区域的栅极开口中的剩余栅电极材料层作为栅电极层。提高了第一金属栅极结构和第二金属栅极结构的高度均一性和顶面平坦度。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域，所述基底上形成有层间介质层，所述层间介质层中形成有栅极开口，所述栅极开口的侧壁形成有侧墙，所述侧墙的顶部和侧壁、层间介质层的顶部、以及所述栅极开口的底部形成有栅介质层，与所述栅极开口延伸方向相垂直的方向上，所述第一区域的栅极开口的宽度小于所述第二区域的栅极开口的宽度； 形成保形覆盖所述栅介质层的功函数层，所述第一区域中的功函数层还填充于所述栅极开口的剩余空间中，所述第二区域中的功函数层覆盖所述栅介质层的侧壁和底部，且露出所述栅极开口的剩余空间； 在所述功函数层的顶部形成栅电极材料层，所述栅电极材料层还填充于所述第二区域的栅极开口的剩余空间中，且所述第一区域的栅电极材料层顶部高于所述第二区域的栅电极材料层顶部； 在所述第二区域的栅电极材料层顶部形成牺牲层，所述第二区域的牺牲层顶部与所述第一区域的栅电极材料层顶部齐平； 形成所述牺牲层后，去除高于所述层间介质层顶部的栅电极材料层、牺牲层、功函数层和栅介质层，位于所述第二区域的所述栅极开口中的剩余所述栅电极材料层作为栅电极层，所述第一区域的栅极开口中剩余的栅介质层和功函数层作为第一金属栅极结构，所述第二区域的栅极开口中剩余的栅介质层、功函数层和栅电极层作为第二金属栅极结构。

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