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龙图腾网恭喜中国科学院微电子研究所申请的专利一种噪声等效计算方法、背偏产生电路的设计方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115048895B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110250352.2，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权一种噪声等效计算方法、背偏产生电路的设计方法和装置是由周润发;李博;宿晓慧;任洪宇;郑中山;卜建辉;赵发展设计研发完成，并于2021-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种噪声等效计算方法、背偏产生电路的设计方法和装置在说明书摘要公布了：本发明涉及晶体管噪声处理技术领域，具体涉及一种噪声等效计算方法、背偏产生电路的设计方法和装置。该方法包括：利用噪声电流源和噪声电压源，模拟产生MOS器件的噪声；等效计算MOS器件的漏极电阻热噪声和MOS器件的沟道热噪声；等效计算MOS器件的前栅闪烁噪声和MOS器件的背栅闪烁噪声；叠加计算获得MOS器件的输出噪声。本发明通过对FDSOI工艺MOS器件进行噪声分析，利用噪声电流源和噪声电压源向理想MOS器件中引入表征噪声的干扰信号，实现了MOS器件的漏极电阻热噪声、沟道热噪声、前栅闪烁噪声和背栅闪烁噪声的模拟计算，从而准确地获得了FDSOI工艺MOS器件的噪声功率。

本发明授权一种噪声等效计算方法、背偏产生电路的设计方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种FDSOI工艺MOS器件的噪声等效计算方法，其特征在于，所述方法包括： 根据FDSOI工艺MOS器件的噪声形成机制，利用噪声电流源和噪声电压源，模拟产生所述MOS器件的噪声； 利用所述噪声电流源，等效计算所述MOS器件的漏极电阻热噪声和所述MOS器件的沟道热噪声； 利用所述噪声电压源，并将所述MOS器件的背栅等效为前栅，等效计算所述MOS器件的前栅闪烁噪声和所述MOS器件的背栅闪烁噪声； 根据所述漏极电阻热噪声、所述沟道热噪声、所述前栅闪烁噪声和所述背栅闪烁噪声，叠加计算获得所述MOS器件的输出噪声； 所述等效计算所述MOS器件的漏极电阻热噪声和所述MOS器件的沟道热噪声，包括： 计算所述MOS器件的漏极电阻热噪声功率谱密度，具体计算公式为： ； 其中，为玻尔兹曼常数，为工作温度，为所述MOS器件的漏极电阻； 计算所述MOS器件的沟道噪声功率谱密度，具体计算公式为： ； 其中，为所述MOS器件的工艺参数，为所述MOS器件的跨导； 所述等效计算所述MOS器件的前栅闪烁噪声和所述MOS器件的背栅闪烁噪声，包括： 计算所述MOS器件的前栅闪烁噪声功率谱密度，具体计算公式为： ； 其中，为所述MOS器件的噪声常数，为前栅氧化物单位面积电容，为所述MOS器件的前栅宽度，为所述MOS器件的前栅长度，为工作频率； 计算所述MOS器件的背栅闪烁噪声功率谱密度，具体计算公式为： ； 其中，为埋氧层氧化物单位面积电容。

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