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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114792629B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110106489.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构的形成方法是由杨震;张银艳设计研发完成，并于2021-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括第一区，第一区包括第一外围区和第一核心区，第一外围区上具有第一伪栅结构，第一核心区上具有第二伪栅结构；形成暴露出第一区的第一牺牲层；以第一牺牲层为掩膜，在第一区内形成第一源漏开口和第二源漏开口；以第一牺牲层为掩膜，在第一源漏开口的侧壁和底部表面形成第一轻掺杂区。通过第一牺牲层能够同时完成第一源漏开口、第二源漏开口以及第一轻掺杂区的制程工序，有效减少牺牲层的数量，进而降低了生产成本以及提供了生产效率。另外，第一轻掺杂区在形成第一源漏开口之后形成，由于减少了第一外围区和的阻挡，因此能够有效降低形成第一轻掺杂区时的离子注入能量、剂量和离子注入时间。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括第一区，所述第一区包括第一外围区和第一核心区，所述第一外围区上具有若干平行排布的第一伪栅结构，相邻的所述第一伪栅结构之间具有第一尺寸，所述第一核心区上具有若干平行排布的第二伪栅结构，相邻的所述第二伪栅结构之间具有第二尺寸，所述第二尺寸小于所述第一尺寸； 在所述衬底上形成暴露出所述第一区的第一牺牲层； 以所述第一牺牲层为掩膜，在所述第一外围区内形成若干第一源漏开口，所述第一源漏开口位于相邻的第一伪栅结构之间，在所述第一核心区内形成若干第二源漏开口，所述第二源漏开口位于相邻的第二伪栅结构之间； 在形成所述第一源漏开口和所述第二源漏开口之后，以所述第一牺牲层为掩膜，利用离子倾斜注入的阴影效应对所述第一区进行离子倾斜注入处理，在所述第一源漏开口的侧壁和底部表面形成第一轻掺杂区，所述第一轻掺杂区内具有第一离子。

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