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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823294B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110091020.4，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权半导体结构的形成方法是由赵猛;施雪捷设计研发完成，并于2021-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层、以及位于待刻蚀层上的初始牺牲层；在初始牺牲层上形成图形化结构，图形化结构内具有开口，所述开口暴露出部分初始牺牲层表面；以图形化结构为掩膜，去除部分初始牺牲层，在初始牺牲层内形成凹槽，所述凹槽的深度小于初始牺牲层的厚度；以图形化结构为掩膜，对凹槽侧壁表面和底部表面的初始牺牲层进行改性处理，形成改性层，使初始牺牲层形成牺牲层；形成改性层之后，在凹槽内形成掩膜结构，掩膜结构表面与牺牲层表面齐平；形成掩膜结构之后，去除牺牲层，在待刻蚀层上形成图形结构，图形结构包括改性层和位于改性层上的掩膜结构。所述方法形成的半导体结构形貌较好。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供待刻蚀层、以及位于待刻蚀层上的初始牺牲层； 在初始牺牲层上形成图形化结构，所述图形化结构内具有开口，所述开口暴露出部分所述初始牺牲层表面； 以所述图形化结构为掩膜，去除部分初始牺牲层，在初始牺牲层内形成凹槽，所述凹槽的深度小于所述初始牺牲层的厚度； 以所述图形化结构为掩膜，对所述凹槽侧壁表面和底部表面的初始牺牲层进行改性处理，形成改性层，使所述初始牺牲层形成牺牲层； 形成改性层之后，在所述凹槽内形成掩膜结构，所述掩膜结构表面与牺牲层表面齐平； 形成掩膜结构之后，去除所述牺牲层，去除所述牺牲层的工艺对所述牺牲层的刻蚀速率大于对所述改性层的刻蚀速率，在待刻蚀层上形成图形结构，所述图形结构包括改性层和位于改性层上的掩膜结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。