恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司陈栋获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823486B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110091012.X，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构的形成方法是由陈栋;姚达林设计研发完成，并于2021-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层；在待刻蚀层上形成缓冲层；在缓冲层上形成核心层，所述核心层的材料与缓冲层的材料不同，所述核心层内具有若干第一开口，所述第一开口暴露出部分缓冲层表面；在第一开口侧壁形成侧墙，所述侧墙材料与核心层的材料不同，且所述侧墙材料与缓冲层的材料不同；以所述核心层为掩膜刻蚀所述缓冲层，在缓冲层内形成第二开口；形成第二开口之后，去除所述核心层和侧墙；去除所述核心层和侧墙之后，以所述缓冲层为掩膜刻蚀所述待刻蚀层。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供待刻蚀层； 在待刻蚀层上形成缓冲层； 在缓冲层上形成核心层，所述核心层的材料与缓冲层的材料不同，所述核心层内具有若干第一开口，所述第一开口暴露出部分缓冲层表面； 在第一开口侧壁形成侧墙，所述侧墙材料与核心层的材料不同，且所述侧墙材料与缓冲层的材料不同； 在第一开口内形成牺牲层； 在牺牲层内或核心层内形成填充层，所述填充层位于相邻的侧墙之间； 以所述核心层、侧墙和填充层为掩膜刻蚀所述缓冲层，在缓冲层内形成第二开口； 形成第二开口之后，去除所述填充层、核心层和侧墙； 去除所述填充层、核心层和侧墙之后，以所述缓冲层为掩膜刻蚀所述待刻蚀层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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