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恭喜索泰克公司F·马赞获国家专利权

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龙图腾网恭喜索泰克公司申请的专利用于制备薄层的工艺获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115668444B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180022608.2,技术领域涉及:H01L21/02;该发明授权用于制备薄层的工艺是由F·马赞;F·里厄托尔;M·考伊格;H·格兰佩克斯;迪迪埃·朗德吕;O·科农丘克;纳迪娅·本默罕默德设计研发完成,并于2021-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

用于制备薄层的工艺在说明书摘要公布了:本发明涉及一种制备薄层1的工艺,该工艺包括以下步骤:弱化步骤S2,该弱化步骤用于在供体基板2的中央部分2c中形成弱化区3,该弱化区3不延伸到供体基板2的外围部分2p中;接合步骤S3,该接合步骤将供体基板2的主面2a接合至受体基板5以便形成待分割组件;以及分离步骤S4,该分离步骤分离待分割组件,该分离步骤包括热处理,所述热处理导致薄层1仅从供体基板2的中央部分2c处释放。该工艺在分离步骤之后还包括拆开步骤S6,该拆开步骤包括处理待分割组件,以便将供体基板2的外围部分从受体基板5拆开。

本发明授权用于制备薄层的工艺在权利要求书中公布了:1.一种制备薄层(1)的工艺,所述工艺包括以下步骤: -弱化步骤(S2),所述弱化步骤包括将轻物质引入通过供体基板(2)的主面(2a),所述弱化步骤用于在所述供体基板(2)的中央部分(2c)中形成弱化区(3),以便利用所述供体基板(2)的所述主面(2a)限定所述薄层(1),所述弱化区(3)不延伸到所述供体基板(2)的外围部分(2p)中; -接合步骤(S3),所述接合步骤将所述供体基板(2)的所述主面(2a)接合至受体基板(5)以便形成待分割组件,所述供体基板(2)的所述主面(2a)的所述中央部分(2c)和所述外围部分(2p)与所述受体基板(5)的面相接触; 所述工艺的特征在于,所述工艺还包括: -分离步骤(S4),所述分离步骤分离所述待分割组件,所述分离步骤包括热处理,所述热处理导致在所述弱化区中引发并传播分割波以便使所述薄层(1)仅从所述供体基板(2)的所述中央部分(2c)处释放,所述分割波未完全传播通过所述外围部分(2p),使得所述供体基板(2)和所述受体基板(5)在所述供体基板(2)的所述外围部分(2p)处保持彼此附接; -拆开步骤(S6),所述拆开步骤与所述分离步骤(S4)不同并且被应用于该分离步骤之后,所述拆开步骤包括处理所述待分割组件,以便将所述供体基板(2)的所述外围部分从所述受体基板(5)拆开,并由此将所述薄层(1)转移至所述受体基板(5)。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人索泰克公司,其通讯地址为:法国伯尔宁;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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