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龙图腾网恭喜中国科学院半导体研究所申请的专利高阶耦合模式激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725775B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011532124.6，技术领域涉及：H01S5/10；该发明授权高阶耦合模式激光器是由郑婉华;李晶;马丕杰;王学友;傅廷设计研发完成，并于2020-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本高阶耦合模式激光器在说明书摘要公布了：本公开提供了一种高阶耦合模式激光器，自下而上顺次包括：下电极层、N型衬底层、N型限制层、有源层、P型限制层、P型盖层、绝缘层和上电极层；波导结构由刻蚀的P型盖层和P型限制层形成，包括至少一个增益腔和多个损耗腔，损耗腔对称设置于增益腔两侧；增益腔上还设置有光栅结构；增益腔和损耗腔上表面设置绝缘层，且绝缘层上与增益腔对应的位置设置窗口区域；调控增益腔的增益，使增益腔与损耗腔耦合，并通过光栅结构实现单波长输出。本公开实现对激光器横向和纵向模式的双重调控，实现对激光器振荡模式能量的调节，实现单模大功率的激光输出，高带宽高速率的直接调制，能够采用普通的接触式光刻实现，以大幅度降低激光器的制作成本。

本发明授权高阶耦合模式激光器在权利要求书中公布了：1.一种高阶耦合模式激光器，自下而上顺次包括：下电极层、N型衬底层、N型限制层、有源层、P型限制层、P型盖层、绝缘层和上电极层； 波导结构，由刻蚀的P型盖层和P型限制层形成；所述波导结构包括：至少一个增益腔和多个损耗腔，所述损耗腔对称设置于所述增益腔两侧； 所述增益腔上还设置有光栅结构； 所述增益腔和所述损耗腔上表面设置绝缘层，且所述绝缘层上与所述增益腔对应的位置设置窗口区域； 所述上电极层设置在所述窗口区域上； 所述增益腔为设置于所述波导结构的多个增益波导；所述损耗腔为设置于所述波导结构的多个非增益波导； 调控所述增益腔的增益，使所述非增益波导与所述增益波导内的模式进行耦合，将高阶横向模式耦合出去；纵向上，所述光栅结构的选模特性实现单波长的输出。

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