恭喜美光科技公司李仲培获国家专利权
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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利半导体装置组合件的无焊互连件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112992705B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011457380.3，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权半导体装置组合件的无焊互连件是由李仲培设计研发完成，并于2020-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置组合件的无焊互连件在说明书摘要公布了：本申请案涉及半导体装置组合件的无焊互连件。揭示具有无焊互连件的半导体装置组合件及相关联系统及方法。在一个实施例中，一种半导体装置组合件包含从半导体裸片延伸的第一导电柱及从衬底延伸的第二导电柱。所述第一导电柱可经由使用注入于所述第一与第二导电柱之间的无电镀液形成于所述第一与第二导电柱之间的中间导电结构连接到所述第二导电柱。所述第一及第二导电柱及所述中间导电结构可包含铜作为除焊接过程的金属间化合物IMC之外的共同主要组分。所述第一导电柱的第一侧壁表面可相对于所述第二导电柱的对应第二侧壁表面失准。未用IMC形成的此类互连件可改进所述半导体装置组合件的所述互连件的电及冶金特性。
本发明授权半导体装置组合件的无焊互连件在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体装置组合件的方法，所述方法包括： 在半导体裸片的第一侧上形成第一金属结构，所述第一金属结构包含远离所述半导体裸片的第一顶面； 在衬底的第一侧上形成第二金属结构，所述第二金属结构包含远离所述衬底的第二顶面； 将第一支撑组件附接到与所述半导体裸片的所述第一侧相对的所述半导体裸片的第二侧； 将第二支撑组件附接到与所述衬底的所述第一侧相对的所述衬底的第二侧； 操纵所述第一支撑组件和所述第二支撑组件使得所述第一金属结构与所述第二金属结构对准，且使得所述第一顶面面向所述第二顶面；及 通过用无电镀液在所述第一顶面及所述第二顶面两者上同时镀覆导电材料来结合所述第一顶面及所述第二顶面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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