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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114613675B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011429562.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构形成方法是由崔明设计研发完成，并于2020-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成若干分立排列的伪栅；在所述基底上形成第一介质层，所述第一介质层顶部低于所述伪栅顶部；在所述第一介质层上形成第二介质层，所述第二介质层顶部与所述伪栅顶部齐平；去除所述伪栅，形成贯穿所述第一介质层及所述第二介质层的开口；在所述第二介质层顶部、所述开口底部及侧壁形成高k栅介质膜；在所述开口内形成金属层，所述金属层顶部与所述第二介质层上的所述高k栅介质膜顶部齐平；去除部分厚度所述金属层形成金属栅，沉积形成牺牲介质层；去除所述牺牲介质层和所述第二介质层，所述金属栅顶部与所述第一介质层顶部齐平。本发明有助于提高金属栅高度的可控性。

本发明授权半导体结构形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构形成方法，其特征在于，包括： 提供基底； 在所述基底上形成若干分立排列的伪栅； 在所述基底上形成第一介质层，所述第一介质层顶部低于所述伪栅顶部； 在所述第一介质层上形成第二介质层，所述第二介质层顶部与所述伪栅顶部齐平； 去除所述伪栅，形成贯穿所述第一介质层及所述第二介质层的第一开口； 在所述第二介质层顶部、所述第一开口底部及侧壁形成高k栅介质膜，所述高k栅介质膜在所述第一开口内形成第二开口； 在所述第二开口内形成金属层，所述金属层顶部与所述第二介质层上的所述高k栅介质膜顶部齐平； 去除部分厚度所述金属层形成金属栅，沉积形成牺牲介质层，所述牺牲介质层填充满所述金属栅暴露出的所述第二开口； 去除所述牺牲介质层和所述第二介质层，所述金属栅顶部与所述第一介质层顶部齐平。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。