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龙图腾网恭喜罗伯特·博世有限公司申请的专利用于加工至少一个半导体衬底的装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114787981B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080084934.1，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权用于加工至少一个半导体衬底的装置和方法是由J·鲁德哈德设计研发完成，并于2020-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于加工至少一个半导体衬底的装置和方法在说明书摘要公布了：提供一种用于加工至少一个半导体衬底281的装置200，该装置200具有：反应器220，所述反应器具有撑开反应空间221的壁；闭锁结构230，所述闭锁结构设置用于以至少一个半导体衬底281对所述反应空间221进行装载并且从所述反应空间221中卸载所述至少一个半导体衬底281并且用于不透氢氟酸地闭锁所述反应空间221；和加热装置210，所述加热装置设置用于，在所述反应空间221中调设在至少一个温度范围内的至少一个预先给定的温度。所述装置此外具有：气体入口240，250，所述气体入口设置用于，将呈蒸汽形式的氢氟酸输送给所述反应空间221；和气体出口260，所述气体出口设置用于，从所述反应空间221中导出呈蒸汽形式的氢氟酸；和气体供应系统270，所述气体供应系统与所述气体入口240，250耦合并且设置用于在所述预先给定的温度下将呈蒸汽形式的氢氟酸输送给所述气体入口240，250。

本发明授权用于加工至少一个半导体衬底的装置和方法在权利要求书中公布了：1.一种用于加工至少一个半导体衬底281的装置200，所述装置200具有： 反应器220，所述反应器具有： -壁，所述壁撑开反应空间221； -闭锁结构230，所述闭锁结构设置用于以至少一个半导体衬底281对所述反应空间221进行装载并且用于从所述反应空间221中卸载所述至少一个半导体衬底281并且用于不透氢氟酸地闭锁所述反应空间221；和 -加热装置210，所述加热装置设置用于，在所述反应空间221中调设在至少一个温度范围内的至少一个预先给定的温度； 气体入口240，250，所述气体入口设置用于，将呈蒸汽形式的氢氟酸输送给所述反应空间221， 气体出口260，所述气体出口设置用于，从所述反应空间221中导出呈蒸汽形式的氢氟酸；和 气体供应系统270，所述气体供应系统与所述气体入口240，250耦合并且设置用于在所述预先给定的温度下将呈蒸汽形式的氢氟酸输送给所述气体入口240，250， 其中，所述加热装置210设置用于，将在所述反应空间221中的预先给定的温度调设到在第一温度范围内的温度上，在所述第一温度范围内，所述半导体衬底至少被热氧化。

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