恭喜奥普诺维克斯公司M·R·克莱姆斯获国家专利权
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龙图腾网恭喜奥普诺维克斯公司申请的专利氮化铟镓结构和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114930499B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080079616.6，技术领域涉及：H01L21/20；该发明授权氮化铟镓结构和装置是由M·R·克莱姆斯设计研发完成，并于2020-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化铟镓结构和装置在说明书摘要公布了：本文公开了InGaN层，所述InGaN层的特征在于至的范围内的面内晶格参数。通过聚结在多个GaN晶种区上生长的InGaN来生长所述InGaN层。所述InGaN层可用于制造用于照明和显示应用的光源中的光学和电子装置。
本发明授权氮化铟镓结构和装置在权利要求书中公布了：1.一种III族氮化物半导体结构，其包含： a包含纤锌矿III族氮化物晶体结构的多个晶种区，所述纤锌矿III族氮化物晶体结构包含InxGa1-xN，其中0≤x1； b覆盖所述晶种区的包含纤锌矿III族氮化物晶体结构的弛豫区，所述纤锌矿III族氮化物晶体结构包含InyGa1-yN，其中0y≤1且yx， c与所述纤锌矿III族氮化物晶体结构的0001平面平行并与所述晶种区相交的第一平面；其中， 所述第一平面与所述晶种区的第一小面的交点定位所述弛豫区与所述晶种区之间延第一异质结的第一位置；并且 所述InxGa1-xNInyGa1-yN异质结与所述晶种区的第一晶面共面； d与所述纤锌矿III族氮化物晶体结构的所述0001平面平行并与所述晶种区的第二小面相交的任何第二平面定位所述弛豫区与所述晶种区之间延第二异质结的第二位置，其中所述第二异质结与第二晶面共面；以及 e覆盖所述晶种区的聚结的弛豫的0001InGaN区，其中所述聚结的弛豫的0001InGaN区的特征在于大于的面内a晶格参数， 其中所述第一晶面和所述第二晶面中的每一个是结晶学上等效的。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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