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龙图腾网恭喜华邦电子股份有限公司申请的专利非易失性存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114373489B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011103329.2，技术领域涉及：G11C7/10；该发明授权非易失性存储器装置是由刘兴羽;赖俊宇设计研发完成，并于2020-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本非易失性存储器装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种非易失性存储器装置。非易失性存储器装置包括非易失性存储单元阵列、感测放大器、随机存取存储器以及缓冲电路。感测放大器用以产生读出数据。随机存取存储器用以储存写入数据。缓冲电路依据目标数据以及读出数据以产生检测结果，缓冲电路并使检测结果被写入至随机存取存储器。

本发明授权非易失性存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器装置，包括： 非易失性存储单元阵列； 感测放大器，耦接所述非易失性存储单元阵列，用以产生读出数据； 随机存取存储器，用以储存写入数据；以及 缓冲电路，耦接至所述随机存取存储器以及所述感测放大器，依据目标数据以及所述读出数据以产生检测结果，所述缓冲电路并使所述检测结果被写入至所述随机存取存储器， 其中，所述缓冲电路分别在写入机制的各验证阶段中设定不同的所述目标数据，以供所述缓冲电路检测各所述验证阶段是否完成， 所述写入机制的所述验证阶段包括编程验证阶段、擦除验证阶段以及软编程验证阶段，且 所述缓冲电路包括： 上拉电路，提供第一驱动能力以拉升所述检测结果为默认逻辑电平； 第一下拉电路，在所述编程验证阶段中，依据所述目标数据以及所述读出数据以提供第二驱动能力来下拉所述检测结果； 第二下拉电路，在所述软编程验证阶段中，比较所述目标数据以及所述读出数据以提供第三驱动能力来下拉所述检测结果； 第三下拉电路，在所述擦除验证阶段中，比较所述目标数据以及所述读出数据以提供第四驱动能力来下拉所述检测结果；以及 输出缓冲器，接收所述检测结果，输出所述检测结果至所述随机存取存储器， 其中所述第二驱动能力、所述第三驱动能力以及所述第四驱动能力均大于所述第一驱动能力。

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