恭喜丁肇诚获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
龙图腾网恭喜丁肇诚申请的专利半导体测试芯片及其制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114284162B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011031841.0,技术领域涉及:H01L21/66;该发明授权半导体测试芯片及其制作方法是由郭浩中;丁肇诚设计研发完成,并于2020-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体测试芯片及其制作方法在说明书摘要公布了:一种半导体测试芯片,供用于半导体组件的打线可靠度测试,包含半导体基底及至少一设置在该半导体基底上的测试芯片,该至少一测试芯片具有反向该半导体基底的顶面,及至少一自该顶面对外裸露的电连接垫,该电连接垫具有金属层及形成于金属层的至少部分表面的金属化合物层,其中,该金属化合物层包括金属氧化物,且该金属化合物层的厚度介于2nm至50nm。此外,本发明还同时提供该半导体测试芯片的制作方法。通过该金属化合物层的组成、厚度及图样的其中至少一种,仿真半导体组件的电连接垫的表面状态,或于不同环境的氧化及腐蚀破坏状况,得以加速利用该半导体测试芯片进行可靠度测试时的反应进行,以减少可靠度测试的时间。
本发明授权半导体测试芯片及其制作方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体测试芯片,供用于半导体组件的打线可靠度测试,包含:半导体基底;及至少一设置在该半导体基底上的测试芯片,其特征在于:该至少一测试芯片包括: 反向该半导体基底的顶面;及 至少一电连接垫,自该顶面对外裸露,且包含金属层,及以原子沉积方式形成于该金属层的至少部分表面的金属化合物层,且该金属化合物层包括含卤素金属化合物及含氧金属化合物的其中至少一者。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人丁肇诚,其通讯地址为:中国台湾新竹市;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。