恭喜浙江睿熙科技有限公司郭铭浩获国家专利权
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龙图腾网恭喜浙江睿熙科技有限公司申请的专利单片集成式VCSEL芯片获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114142346B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010919648.4,技术领域涉及:H01S5/42;该发明授权单片集成式VCSEL芯片是由郭铭浩;林珊珊;王立;李念宜设计研发完成,并于2020-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本单片集成式VCSEL芯片在说明书摘要公布了:本申请涉及一种单片集成式VCSEL芯片,其包括第一VCSEL子芯片,所述第一VCSEL芯片包括以第一阵列布设的多个第一VCSEL单元;以及与所述第一VCSEL子芯片单片集成地第二VCSEL子芯片,所述第二VCSEL子芯片包括以第二阵列布设的多个第二VCSEL单元;其中,所述第一VCSEL子芯片与所述第二VCSEL子芯片在结构上共用N‑DBR结构。这样,所述单片集成式VCSEL芯片在晶圆级别上实现将多个VCSEL芯片进行单片地集成,以使得其能够兼具不同的VCSEL芯片各自的优势,且具有相对较小的整体尺寸。
本发明授权单片集成式VCSEL芯片在权利要求书中公布了:1.一种单片集成式VCSEL芯片,其特征在于,包括: 第一VCSEL子芯片,所述第一VCSEL子芯片包括以第一阵列布设的多个第一VCSEL单元;以及 与所述第一VCSEL子芯片单片集成的第二VCSEL子芯片,所述第二VCSEL子芯片包括以第二阵列布设的多个第二VCSEL单元; 其中,所述第一VCSEL子芯片中各所述第一VCSEL单元产生的激光从所述VCSEL芯片的第一侧出射,所述第二VCSEL子芯片中各所述第二VCSEL单元产生的激光从所述VCSEL芯片的与所述第一侧相对的第二侧出射; 其中,所述第一VCSEL子芯片与所述第二VCSEL子芯片在结构上共用N-DBR结构; 其中,所述第一VCSEL子芯片的所述第一VCSEL单元与所述第二VCSEL子芯片的所述第二VCSEL单元形成于所述VCSEL芯片的相对的所述第一侧和第二侧; 所述第一VCSEL子芯片的所述第一VCSEL单元与所述第二VCSEL子芯片的所述第二VCSEL单元相互交替,或者,所述第二VCSEL子芯片的所述第二VCSEL单元连续地形成于所述第一VCSEL子芯片的所述第一VCSEL单元之间。
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