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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068400B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010790728.4，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构的形成方法是由杨承;王楠设计研发完成，并于2020-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层表面形成若干第一阻挡结构；在所述待刻蚀层表面形成若干第二阻挡结构，所述第一阻挡结构的材料和第二阻挡结构的材料不同；形成第一图形化层，所述第一图形化层具有若干第一开口，每个第一开口至少暴露1个第一阻挡结构和1个第二阻挡结构的部分表面；以所述第一图形化层为掩膜，刻蚀第一阻挡结构；形成第二图形化层，所述第二图形化层具有若干第二开口，每个第二开口至少暴露1个第一阻挡结构和1个第二阻挡结构的部分表面；以所述第二图形化层为掩膜，刻蚀第二阻挡结构。从而，降低了半导体结构的制程工艺难度。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供待刻蚀层； 在所述待刻蚀层表面形成若干第一阻挡结构； 在所述待刻蚀层表面形成若干第二阻挡结构，所述第一阻挡结构的材料和第二阻挡结构的材料不同； 形成第一图形化层，所述第一图形化层具有若干第一开口，每个第一开口至少暴露1个第一阻挡结构的部分表面和1个第二阻挡结构的部分表面； 以所述第一图形化层为掩膜，选择性刻蚀去除暴露的第一阻挡结构； 形成第二图形化层，所述第二图形化层具有若干第二开口，每个第二开口至少暴露1个第一阻挡结构的部分表面和1个第二阻挡结构的部分表面； 以所述第二图形化层为掩膜，选择性刻蚀去除暴露第二阻挡结构； 以所述第一图形化层为掩膜，刻蚀第一阻挡结构后，继续以所述第一图形化层为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层，在所述待刻蚀层内形成若干第一互连开口，所述第一互连开口暴露出第二阻挡结构侧壁面； 以所述第二图形化层为掩膜，刻蚀第二阻挡结构后，继续以所述第二图形化层为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层，在所述待刻蚀层内形成若干第二互连开口，所述第二互连开口暴露出第一阻挡结构侧壁面。

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