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龙图腾网恭喜三菱电机株式会社申请的专利半导体装置以及电力变换装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115668507B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080100925.7，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体装置以及电力变换装置是由川原洸太朗;日野史郎设计研发完成，并于2020-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置以及电力变换装置在说明书摘要公布了：本公开所涉及的半导体装置具备：感测源极电极19，与源极电极9独立地设置；以及二极管25，设置于感测源极电极19与漂移层2之间，上升电压低于包括感测阱区域13或者虚设感测阱区域23和漂移层2的pn二极管的动作电压，能够使从感测源极电极19流向漏极电极10的电流通电，在配置虚设感测阱区域23和二极管25的虚设感测区域62内，二极管25被设置成与虚设感测阱区域23隔着栅极绝缘膜26与栅极电极7对置的区域即对置区域FA混合存在。

本发明授权半导体装置以及电力变换装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 半导体层，具有第1主面以及与所述第1主面对置的第2主面； 源极电极，设置于所述第1主面侧；以及 漏极电极，设置于所述第2主面侧， 所述半导体装置通过施加到栅极电极的电压来控制在所述源极电极与所述漏极电极之间流过的电流， 其中，所述半导体装置具备： 感测源极电极，与所述源极电极独立地设置，设置于所述半导体层的所述第1主面侧； 第1导电类型的漂移层，构成所述半导体层的主要部分； 第2导电类型的感测阱区域，选择性地设置于所述漂移层的表层，与所述感测源极电极电连接； 第1导电类型的感测源极区域，选择性地设置于所述感测阱区域的表层，与所述感测源极电极电连接； 第2导电类型的虚设感测阱区域，与所述感测阱区域独立地选择性地设置于所述漂移层的表层，与所述感测源极电极电连接，不形成沟道； 栅极绝缘膜，设置于所述虚设感测阱区域与所述栅极电极之间；以及 二极管，设置于所述感测源极电极与所述漂移层之间，上升电压低于包括所述感测阱区域或者所述虚设感测阱区域和所述漂移层的pn二极管的动作电压，能够使从所述感测源极电极流向所述漏极电极的电流通电， 在配置所述虚设感测阱区域和所述二极管的虚设感测区域内，所述二极管被设置成与所述虚设感测阱区域隔着所述栅极绝缘膜与所述栅极电极对置的区域即对置区域混合存在。

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