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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利发光装置、背光单元和显示设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112038331B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010264584.9，技术领域涉及：H10H29/24；该发明授权发光装置、背光单元和显示设备是由崔成宇;金圣民;李寅衡设计研发完成，并于2020-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光装置、背光单元和显示设备在说明书摘要公布了：提供了一种发光装置、背光单元和显示设备。所述发光装置包括：第一LED芯片，其发射峰波长在410至430nm的范围内的光；第二LED芯片，其发射峰波长在440至460nm的范围内的光；第一量子点，其将通过第一LED芯片和第二LED芯片发射的光转换为峰波长在510至550nm的范围内的光；以及第二量子点，其将通过第一LED芯片和第二LED芯片发射的光转换为峰波长在610至660nm的范围内的光，其中在最终的光的发射光谱中，第一LED芯片的峰波长的强度为第二LED芯片的峰波长的强度的15％或更少。

本发明授权发光装置、背光单元和显示设备在权利要求书中公布了：1.一种发光装置，包括： 至少一个第一发光二极管芯片，其发射峰波长在414nm至430nm的范围内的第一光； 至少一个第二发光二极管芯片，其发射峰波长在440nm至460nm的范围内的第二光； 在由所述至少一个第一发光二极管芯片和所述至少一个第二发光二极管芯片发射的光的路径上的第一量子点，所述第一量子点将通过所述至少一个第一发光二极管芯片和所述至少一个第二发光二极管芯片发射的所述第一光和所述第二光的第一部分转换为峰波长在510nm至550nm的范围内的光；以及 在由所述至少一个第一发光二极管芯片和所述至少一个第二发光二极管芯片发射的光的路径上的第二量子点，所述第二量子点将通过所述至少一个第一发光二极管芯片和所述至少一个第二发光二极管芯片发射的所述第一光和所述第二光的第二部分转换为峰波长在610nm至660nm的范围内的光， 其中，在从所述第一量子点和所述第二量子点发射的最终的光的发射光谱中，所述至少一个第一发光二极管芯片的峰波长的强度等于所述至少一个第二发光二极管芯片的峰波长的强度的15％或更少。

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