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龙图腾网恭喜古河电气工业株式会社申请的专利半导体芯片的制造方法和用于该制造方法的掩模一体型表面保护带获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113675131B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110960126.3，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权半导体芯片的制造方法和用于该制造方法的掩模一体型表面保护带是由横井启时;内山具朗;冈祥文设计研发完成，并于2016-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体芯片的制造方法和用于该制造方法的掩模一体型表面保护带在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体芯片的制造方法和用于该制造方法的掩模一体型表面保护带。一种半导体芯片的制造方法，其包括下述工序a～d。a在将掩模一体型表面保护带贴合于半导体晶片的图案面侧的状态下，对半导体晶片的背面进行磨削，将晶片固定带贴合于磨削后的背面，利用环形框进行固定的工序；b剥离表面保护带而使掩模材料层露出于表面后，使半导体晶片的切割道开口的工序；c通过等离子体照射而使半导体晶片单片化为芯片的等离子体切割工序；和d通过等离子体照射去除上述掩模材料层的灰化工序。

本发明授权半导体芯片的制造方法和用于该制造方法的掩模一体型表面保护带在权利要求书中公布了：1.一种半导体芯片的制造方法，其包括下述工序a～d： a在将具有基材膜、设置于该基材膜上的粘合剂层和设置于该粘合剂层上的掩模材料层的掩模一体型表面保护带贴合于半导体晶片的图案面侧的状态下，对该半导体晶片的背面进行磨削，将晶片固定带贴合于磨削后的半导体晶片的背面，利用环形框支持固定的工序； b从所述掩模一体型表面保护带将所述基材膜与所述粘合剂层一体地剥离而使掩模材料层露出于表面，之后利用激光将该掩模材料层中与半导体晶片的切割道相当的部分切断，使半导体晶片的切割道开口的工序； c通过等离子体照射以所述切割道分割半导体晶片，从而单片化为半导体芯片的等离子体切割工序；和 d通过等离子体照射去除所述掩模材料层的灰化工序， 所述掩模材料层在波长10μm下的透光率为80％以下，在波长350nm～700nm下的可见光透射率为50％以上， 在所述工序c中，等离子体照射为氟化合物的等离子体照射， 在所述工序d中，等离子体照射为氧等离子体照射， 对于所述掩模材料层来说，利用O2等离子体的蚀刻速率EO2相对于利用SF6等离子体的蚀刻速率EF之比EO2EF为2.0以上， 所述掩模材料层为辐射聚合型， 所述掩模材料层含有在分子内具有1个或2个光聚合性碳-碳双键的丙烯酸酯化合物，所述丙烯酸酯化合物的含量为15质量％～70质量％。

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