恭喜中央硝子株式会社大森启之获国家专利权
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龙图腾网恭喜中央硝子株式会社申请的专利干式蚀刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114512399B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210020327.X，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权干式蚀刻方法是由大森启之;八尾章史设计研发完成，并于2016-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本干式蚀刻方法在说明书摘要公布了：本发明的干式蚀刻方法的特征在于：其是对形成在基板上的硅氧化物层与硅氮化物层的积层膜，隔着形成在所述积层膜上的掩模，进行使干式蚀刻剂等离子体化并施加500V以上的偏压电压的蚀刻，从而对该层形成垂直方向的贯通孔的方法，并且所述干式蚀刻剂至少包含C3H2F4、CxFy所表示的不饱和全氟碳及氧化性气体，且所述干式蚀刻剂中所含的所述不饱和全氟碳的体积为所述干式蚀刻剂中所含的所述C3H2F4的体积的0.1～10倍的范围。通过该干式蚀刻方法，可以将SiOx的蚀刻速度相对于SiN的蚀刻速度的比SiNSiOx比任意地控制在0.90～1.5之间，并且也可以对掩模实现高蚀刻选择性。
本发明授权干式蚀刻方法在权利要求书中公布了：1.一种干式蚀刻方法，其特征在于：其是对形成在基板上的硅氧化物层与硅氮化物层的积层膜，隔着形成在所述积层膜上的具有特定开口图案的掩模，进行使干式蚀刻剂等离子体化并施加500V以上的偏压电压的蚀刻，从而对所述积层膜形成垂直方向的贯通孔的方法，并且 所述干式蚀刻剂至少包含C3H2F4、CxFy所表示的不饱和全氟碳及氧化性气体，其中x＝2～5的整数，y＝2、4、6、8或10，y≦2x， 所述干式蚀刻剂中所含的所述不饱和全氟碳的体积为所述干式蚀刻剂中所含的所述C3H2F4的体积的0.1～10倍的范围，且 使C3H2F4与CxFy的组成比阶段性地或周期性地变化，以兼顾贯通孔的形成时间的缩短化与水平方向上的SiN蚀刻的抑制。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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