恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司罗琦获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体结构的制备方法和半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119993833B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510473380.9，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权一种半导体结构的制备方法和半导体结构是由罗琦;宋富冉;周儒领设计研发完成，并于2025-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制备方法和半导体结构在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构的制备方法和半导体结构，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法，对栅极材料层进行化学机械研磨时，会形成第一负载效应，之后对第一栅极中间层进行预设干法刻蚀以形成栅极，该预设干法刻蚀会产生第二负载效应，由于第一负载效应为在刻蚀图案密度越大时研磨速率越快的效应，而第二负载效应为在刻蚀图案密度越大时研磨速率越慢的效，即第二负载效应与第一负载效应互为反向负载效应，也就是说，第二负载效应对化学机械研磨产生的第一负载效应有反向控制的效果，改善了化学机械研磨产生的第一负载效应。此外，对第一介质材料层进行原子层刻蚀时，由于原子层刻蚀是自限制化学反应，刻蚀更精确，减少了缺陷产生。
本发明授权一种半导体结构的制备方法和半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底具有多个凹槽； 于所述基底的上表面以及所述凹槽的内壁形成第一介质材料层； 于所述第一介质材料层背离所述基底的一侧形成栅极材料层，所述栅极材料层填充所述凹槽； 以所述第一介质材料层为停止层，对所述栅极材料层进行化学机械研磨，形成第一栅极中间层，所述化学机械研磨具有第一负载效应；对所述第一介质材料层进行原子层刻蚀，以形成第一介质层； 对所述第一栅极中间层进行预设干法刻蚀以形成栅极，所述预设干法刻蚀具有第二负载效应，所述第二负载效应与所述第一负载效应互为反向负载效应。
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