恭喜通威太阳能(成都)有限公司刘旭获国家专利权
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龙图腾网恭喜通威太阳能(成都)有限公司申请的专利太阳电池及其制备方法、光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947351B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510426324.X，技术领域涉及：H10F77/70；该发明授权太阳电池及其制备方法、光伏组件是由刘旭;王永洁设计研发完成，并于2025-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳电池及其制备方法、光伏组件在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳电池技术领域，公开一种太阳电池及其制备方法、光伏组件，所述太阳电池包括：硅基底，所述硅基底包括相背设置的受光面和背光面；第一钝化层，所述第一钝化层设置于所述硅基底的所述受光面；图形化的第一掺杂硅层，所述第一掺杂硅层位于部分所述第一钝化层上；图形化的介质层，所述介质层位于未覆盖有所述第一掺杂硅层的其余部分所述第一钝化层上；第一透明导电层，所述第一透明导电层位于所述第一掺杂硅层和所述介质层上。在图形化的介质层和图形化的第一掺杂硅层的协同作用下，能有效减少第一掺杂硅层对光的寄生吸收，减少载流子的复合，增加太阳电池的短路电流，优化太阳电池的光电转化效率。
本发明授权太阳电池及其制备方法、光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳电池，其特征在于，所述太阳电池包括： 硅基底，所述硅基底包括相背设置的受光面和背光面； 第一钝化层，所述第一钝化层设置于所述硅基底的所述受光面； 图形化的第一掺杂硅层，所述第一掺杂硅层位于部分所述第一钝化层上； 图形化的介质层，所述介质层位于未覆盖有所述第一掺杂硅层的其余部分所述第一钝化层上； 第一透明导电层，所述第一透明导电层位于所述第一掺杂硅层和所述介质层上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人通威太阳能(成都)有限公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市高新综合保税区双流园区综保横路一段；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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