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龙图腾网恭喜苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司申请的专利一种半导体发光结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119965677B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510421116.0，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权一种半导体发光结构及其制备方法是由李泉灵;王俊;程洋;赵武;闵大勇设计研发完成，并于2025-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体发光结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体发光结构及其制备方法。半导体发光结构包括：半导体衬底层；位于半导体衬底层上的下限制层；位于部分下限制层背离半导体衬底层一侧依次层叠的下波导层、有源层、上波导层和上限制层；绝缘外延层，位于部分下限制层背离半导体衬底层一侧且位于下波导层、有源层、上波导层和上限制层在慢轴方向的两侧；第一隔离槽和第二隔离槽，第一隔离槽和第二隔离槽均沿慢轴方向自上限制层在慢轴方向一侧的绝缘外延层中穿过上限制层并延伸至上限制层在慢轴方向另一侧的绝缘外延层中，第一隔离槽位于第二隔离槽背离后腔面的一侧。

本发明授权一种半导体发光结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光结构，其特征在于，包括： 半导体衬底层； 位于所述半导体衬底层上的下限制层； 位于部分所述下限制层背离所述半导体衬底层一侧依次层叠的下波导层、有源层、上波导层和上限制层；所述下波导层、所述有源层、所述上波导层和所述上限制层具有在腔长方向上相对的前腔面和后腔面； 绝缘外延层，位于部分所述下限制层背离所述半导体衬底层一侧、且位于所述下波导层、所述有源层、所述上波导层和所述上限制层在慢轴方向的两侧； 第一隔离槽和第二隔离槽，所述第一隔离槽和所述第二隔离槽均沿慢轴方向自所述上限制层在慢轴方向一侧的所述绝缘外延层中延伸、穿过所述上限制层并延伸至所述上限制层在慢轴方向另一侧的所述绝缘外延层中，所述第一隔离槽位于所述第二隔离槽背离所述后腔面的一侧；在腔长方向上，所述第一隔离槽至所述前腔面的间隔距离远小于所述第一隔离槽至所述后腔面的间隔距离，所述第二隔离槽至所述后腔面的间隔距离远小于所述第二隔离槽至所述前腔面的间隔距离； 第一绝缘填充层和第二绝缘填充层；其中，所述第一绝缘填充层位于所述第一隔离槽中，所述第二绝缘填充层位于所述第二隔离槽中； 正面电极层，位于所述上限制层、所述第一绝缘填充层和所述第二绝缘填充层背离所述上波导层的一侧。

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