恭喜深圳平湖实验室夏云获国家专利权
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龙图腾网恭喜深圳平湖实验室申请的专利半导体器件、其制备方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119894013B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510377737.3，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权半导体器件、其制备方法及电子设备是由夏云;陈刚;周紫薇;汪高旭;支海朝设计研发完成，并于2025-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件、其制备方法及电子设备在说明书摘要公布了：本公开的半导体器件、其制备方法及电子设备，包括：P+阳极；第一N‑缓冲层，P+阳极嵌入第一N‑缓冲层；N‑漂移层，位于第一N‑缓冲层远离P+阳极的一侧；P‑层，在N‑漂移层朝向第一N‑缓冲层的一侧与N‑漂移层接触，且第一N‑缓冲层嵌入P‑层。
本发明授权半导体器件、其制备方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： P+阳极； 第一N-缓冲层，所述P+阳极嵌入所述第一N-缓冲层； N-漂移层，位于所述第一N-缓冲层远离所述P+阳极的一侧； P-层，在所述N-漂移层朝向所述第一N-缓冲层的一侧与所述N-漂移层接触，且所述第一N-缓冲层嵌入所述P-层； 还包括N+衬底、第二N-缓冲层、P-阱层、P+阴极、沟槽、阳极导电层和阳极介质层，所述N+衬底、所述第二N-缓冲层、所述P-层、所述N-漂移层、所述P-阱层、所述P+阴极依次层叠设置，所述第一N-缓冲层与所述第二N-缓冲层间隔设置，所述沟槽在所述P-层远离所述N-漂移层的一侧延伸入所述P-层中；所述第一N-缓冲层在所述沟槽处嵌入所述P-层，所述第二N-缓冲层与所述沟槽外围的所述P-层接触；所述沟槽还贯穿所述N+衬底和所述第二N-缓冲层，所述沟槽内的所述阳极导电层与所述P+阳极接触、并与所述N+衬底、所述第二N-缓冲层、所述P-层间隔设置；所述阳极介质层填充所述沟槽内的所述阳极导电层与所述N+衬底、所述第二N-缓冲层、所述P-层之间的间隙，所述阳极导电层与所述N+衬底远离所述第二N-缓冲层一侧的表面接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳平湖实验室，其通讯地址为：518116 广东省深圳市龙岗区平湖街道中科亿方智汇产业园12栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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