恭喜有研资源环境技术研究院(北京)有限公司;广东风华高新科技股份有限公司杨秀玉获国家专利权
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龙图腾网恭喜有研资源环境技术研究院(北京)有限公司;广东风华高新科技股份有限公司申请的专利一种薄膜电阻器用的溅射靶材、制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119824377B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510322375.8，技术领域涉及：C23C14/34；该发明授权一种薄膜电阻器用的溅射靶材、制备方法及其应用是由杨秀玉;吴延科;高宝龙;刘宇阳;胡瑞平;储茂友;王星奇;孙悦设计研发完成，并于2025-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种薄膜电阻器用的溅射靶材、制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明提供的一种薄膜电阻器用的溅射靶材、制备方法及其应用，通过在Si、Cr、Ni、Al中加入适宜添加剂改善晶粒尺寸和强度，加入适宜氧化物改善电阻率和调节电阻温度系数，采用合金熔炼气雾化方式将原料制备成中间粉体，通过放电等离子体烧结法及真空热压烧结法烧结成型制备出高致密、成分分布均匀、晶粒度细小的溅射靶材，为靶材的制备提供更多添加剂选择，并不只依赖稀土元素的添加，通过溅射靶材所制备出薄膜电阻器的初阻值≥2kΩ、电阻温度系数≤±10ppm℃，具有高稳定性和高阻值的优势。
本发明授权一种薄膜电阻器用的溅射靶材、制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种薄膜电阻器用的溅射靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法具体包括以下步骤： S1、以Si、Cr、Ni、Al、添加剂及任选的氧化物为原料，采用合金熔炼气雾化方式将所述原料制备成中间粉体； S2、称取定量的所述中间粉体装入石墨模具中，烧结成型，获得靶坯； S3、对所述靶坯进行表面抛光处理，按目标尺寸加工得到目标靶材； 按照质量分数计，所述Si的添加量为30~60wt%，所述Cr的添加量为20~40wt%，所述Ni的添加量为15~30wt%，所述Al的添加量为2~8wt%，所述添加剂的添加量为0.1~5wt%，所述氧化物的添加量为0~12.5wt%； 所述添加剂选自Mo、Ti和稀土元素中的一种或多种； 所述氧化物选自CuO、MoO2、RuO2、SiO2和V2O5中的一种或多种； 步骤S2中，所述烧结成型采用放电等离子体烧结，所述放电等离子体烧结的真空度为20~100Pa，烧结温度为900~1100℃，压力为5~20MPa。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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