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龙图腾网恭喜北京市天润中电高压电子有限公司申请的专利一种脉冲高压硅堆制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119849402B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510327258.0，技术领域涉及：G06F30/337；该发明授权一种脉冲高压硅堆制造方法是由王诗雪;王妍敏;张裕设计研发完成，并于2025-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种脉冲高压硅堆制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种脉冲高压硅堆制造方法，该方法包括：通过分析当前次迭代及其之前所有次迭代下，各类待优化目标在任一类待优化电路参数下仿真结果的变化趋势，以确定当前次迭代下的综合仿真变化系数；通过分析各次迭代与其相邻前一次迭代下每个雾凇粒子的位置更新坐标之间的距离，并评估当前次迭代及其之前所有次迭代下位置变化量的变化趋势，确定当前次迭代下每个雾凇粒子的位置变化程度，结合所述综合仿真变化系数，对脉冲高压硅堆的待优化参数进行优化。本申请通过动态调整雾凇粒子的粘附度，提高雾凇粒子收敛到pareto最优解的精度以及脉冲高压硅堆产品的性能。

本发明授权一种脉冲高压硅堆制造方法在权利要求书中公布了：1.一种脉冲高压硅堆制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤： 获取脉冲高压硅堆的各类待优化电路参数和各类待优化目标，采用多目标雾凇算法对各类待优化电路参数进行迭代优化，具体过程如下： S1：针对当前次迭代及其之前所有次迭代，获取每次迭代下脉冲高压硅堆的各类待优化目标在不同待优化电路参数下的仿真结果，以及每次迭代结束时各个雾凇粒子的位置更新坐标； S2：通过分析当前次迭代及其之前所有次迭代下，各类待优化目标在任一类待优化电路参数下仿真结果的变化趋势，确定当前次迭代下脉冲高压硅堆中各类待优化目标在任一类待优化参数下的仿真变化值，基于各类待优化目标在所有类待优化参数下的仿真变化值的平均分布情况，确定当前次迭代下各类待优化目标的仿真变化系数，以确定当前次迭代下的综合仿真变化系数； S3：通过分析各次迭代与其相邻前一次迭代下每个雾凇粒子的位置更新坐标之间的距离，确定各次迭代下每个雾凇粒子的位置变化量；评估当前次迭代及其之前所有次迭代下位置变化量的变化趋势，确定当前次迭代下每个雾凇粒子的位置变化趋势值，并结合当前次迭代下的位置变化量，确定当前次迭代下每个雾凇粒子的位置变化程度； S4：基于所述综合仿真变化系数和所述位置变化程度，确定当前次迭代下每个雾凇粒子的粘附度调整值，以对脉冲高压硅堆的待优化参数进行优化。

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