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龙图腾网获悉湖北星辰技术有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法、半导体器件偏移量确定方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119833517B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510293553.9，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权半导体器件及其制造方法、半导体器件偏移量确定方法是由袁娜;金保洲;赵平;梅敏设计研发完成，并于2025-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法、半导体器件偏移量确定方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法、半导体器件偏移量确定方法；半导体器件包括第一半导体结构，其中设置有第一对位标记；第二半导体结构，与第一半导体结构在第一方向上堆叠排布；第二半导体结构中设置有第二对位标记；第一对位标记与第二对位标记的相对位置能够确定第一半导体结构与第二半导体结构之间的偏移量；第一对位标记和第二对位标记均包括第一图像、第二图像、第三图像和第四图像；第二图像位于第一图像在第二方向上的至少一侧；第三图像位于第一图像在第三方向上的至少一侧；第四图像位于第一图像在第四方向上的至少一侧；如此，可以提高第一、第二半导体结构的对准效率和对准精度，以及提高半导体器件的可靠性和良率。

本发明授权半导体器件及其制造方法、半导体器件偏移量确定方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 第一半导体结构；所述第一半导体结构中设置有第一对位标记； 第二半导体结构，与所述第一半导体结构在第一方向上堆叠排布；所述第二半导体结构中设置有第二对位标记；所述第一对位标记与所述第二对位标记的相对位置能够确定所述第一半导体结构与所述第二半导体结构之间的偏移量； 其中，所述第一对位标记和所述第二对位标记均包括第一图像、第二图像、第三图像和第四图像；所述第二图像位于所述第一图像在第二方向上的至少一侧；所述第三图像位于所述第一图像在第三方向上的至少一侧；所述第四图像位于所述第一图像在第四方向上的至少一侧；所述第二图像包括沿所述第三方向均匀排布的多个长条状图形；所述第三图像包括沿所述第二方向均匀排布的多个长条状图形；所述第四图像包括沿所述第四方向延伸的长条状图形，和或，在垂直于所述第四方向的方向上呈直线或弧线均匀排布的多个圆形图形；所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向互相垂直；所述第四方向与所述第一方向垂直，且与所述第二方向和所述第三方向均相交。

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