上海维安半导体有限公司霍田佳获国家专利权
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龙图腾网获悉上海维安半导体有限公司申请的专利一种硅电容器的制备方法及硅电容器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730356B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510228455.7，技术领域涉及：H10D84/00；该发明授权一种硅电容器的制备方法及硅电容器是由霍田佳;赵德益;蒋骞苑;张啸设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅电容器的制备方法及硅电容器在说明书摘要公布了：本发明提供一种硅电容器的制备方法及硅电容器，涉及电容器技术领域，包括：在衬底片上刻蚀出若干沟槽区；在包含沟槽区的衬底片上由下至上堆叠形成多层电容单元，每个电容单元包括呈十字型由内到外交替堆叠的多层导电层和介质层；于最上层的电容单元的顶部形成各电容单元的第一电极和第二电极，第一电极连接所有奇数层的导电层，第二电极连接衬底片及所有偶数层的导电层。有益效果是通过设置沟槽区使得向下增加了有效电容，通过交替堆叠形成多层电容单元使得向上增加了有效电容，进而能够容量密度变大，实现能够制备小尺寸，高电容密度的硅电容器；占用面积小，单位体积利用率高，适用于半导体制程，有利于器件集成化和小型化。
本发明授权一种硅电容器的制备方法及硅电容器在权利要求书中公布了：1.一种硅电容器的制备方法，其特征在于，包括： 步骤S1，在衬底片上刻蚀出若干沟槽区，所述沟槽区带有第一台阶； 步骤S2，在包含所述沟槽区的所述衬底片上由下至上堆叠形成多层电容单元，每个电容单元包括呈十字型由内到外交替堆叠的多层导电层和介质层； 其中，在包含所述沟槽区的所述衬底片上形成一层所述电容单元的过程包括： 步骤S21，依次交替沉积多层第一介质层和第一导电层形成第一叠层； 步骤S22，对所述第一叠层的顶部进行台阶化处理形成第二台阶，随后依次交替沉积与所述第一叠层的层数相同的多层第二介质层和第二导电层，形成第二叠层； 重复执行所述步骤S21至所述步骤S22，以形成多层所述电容单元，并使得相邻两层的各个所述电容单元在堆叠方向上交错设置； 步骤S3，于最上层的所述电容单元的顶部形成各所述电容单元的第一电极和第二电极，所述第一电极连接所有奇数层的所述导电层，所述第二电极连接所述衬底片及所有偶数层的所述导电层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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