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龙图腾网获悉上海大学申请的专利一种利用旋转掩膜生长高通量薄膜材料的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119685748B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510213512.4，技术领域涉及：C23C14/04；该发明授权一种利用旋转掩膜生长高通量薄膜材料的方法是由李易璋;张欣怡;陆佳宜;杨泰然;向娟;黄琦;李蝉羽;孙强设计研发完成，并于2025-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种利用旋转掩膜生长高通量薄膜材料的方法在说明书摘要公布了：本发明属于材料制备技术领域，具体涉及一种利用旋转掩膜生长高通量薄膜材料的方法。本发明包括以下步骤：在超高真空条件下，将衬底置于掩膜结构中，其中，掩膜结构设置有开口，衬底位于开口的正下方；将掩膜结构置于超高真空蒸镀设备中，采用真空蒸镀法，根据薄膜材料的组分，将对应的组分通过开口对掩膜结构中的衬底依次蒸发沉积，蒸发沉积后对掩膜结构进行旋转，再进行下一次蒸发沉积；其中，下一次蒸发沉积的组分与上一次蒸发沉积的所有组分均部分重叠，直至所有组分蒸发沉积结束，得到薄膜材料。本发明的旋转掩膜法操作简单，通过在一个衬底上沉积多种组分组合的薄膜材料，降低重复人工操纵，提升实验成功率。

本发明授权一种利用旋转掩膜生长高通量薄膜材料的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用旋转掩膜生长高通量薄膜材料的方法，其特征在于，包括以下步骤： 在超高真空条件下，将衬底置于掩膜结构中，其中，掩膜结构设置有小孔，衬底位于小孔的正下方； 将掩膜结构置于超高真空蒸镀设备中，采用真空蒸镀法，将多种组分通过开口对掩膜结构中的衬底依次蒸发沉积，每一组分蒸发沉积后对掩膜结构进行旋转，再进行下一次蒸发沉积；其中，下一次蒸发沉积的组分与之前每一次蒸发沉积的所有组分均部分重叠，直至所有组分蒸发沉积结束，得到薄膜材料； 所述掩膜结构包括：能够进行旋转的掩膜盖（1）以及样品架（2）； 所述样品架（2）上端开设有通孔（3），沿通孔（3）的周向设置有多个环形板（4），所述样品架（2）内部设置有空腔（5），用于放置衬底； 所述掩膜盖底部设置有环形凹槽（6），环形凹槽（6）的结构与多个环形板（4）的结构相匹配，用于将多个环形板（4）插装在环形凹槽（6）内；所述掩膜盖（1）底部中心设置有小孔（7），用于将蒸发过程中的分子通过小孔沉积到样品架（2）的衬底上。

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