合肥晶合集成电路股份有限公司王文智获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119698069B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510209347.5，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权半导体器件及其制备方法是由王文智;王仲盛;刘哲儒设计研发完成，并于2025-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，由于该半导体器件中至少两个第一栅极和至少两个第一有源区交叉设置，并且第二有源区位于相邻第一有源区之间，第二栅极位于第二有源区上，使得该半导体器件在形成至少四个晶体管时，在第二有源区和第二栅极处形成了第五个晶体管。这种排布没有改变半导体器件的结构的同时，增加了晶体管数量，并且增加了半导体器件的集成度，进一步提高了半导体器件的性能。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括衬底以及位于所述衬底上的栅极层， 所述衬底包括： 至少两个第一有源区，沿第一方向延伸且沿第二方向排列； 第二有源区，在所述第二方向上位于相邻所述第一有源区之间，所述第一方向与所述第二方向平行于所述衬底，且所述第一方向与所述第二方向相交； 所述栅极层包括： 至少两个第一栅极，沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向排列，且至少两个所述第一栅极与至少两个所述第一有源区交叉设置，且相邻所述第一栅极在所述第一方向上位于所述第二有源区两侧； 第二栅极，位于所述第二有源区上； 所述第一有源区包括第一沟道区，所述第二有源区包括第二沟道区；所述第一沟道区与所述第二沟道区的导电类型相同； 所述第一有源区还包括第一掺杂区，所述第一掺杂区与所述第一沟道区沿所述第一方向交替排布，所述第一掺杂区与所述第二沟道区的导电类型相反，所述第二沟道区在所述第二方向上与相邻两个所述第一有源区的所述第一掺杂区均连接。
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