合肥晶合集成电路股份有限公司陈兴获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件的制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119630018B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510152788.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件的制备方法及半导体器件是由陈兴设计研发完成，并于2025-02-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件，包括：提供衬底；于衬底内形成第一型的阱区，阱区内包括间隔分布的源极区、漏极区；基于目标光罩于阱区内形成沟槽，沟槽位于源极区、漏极区之间；向沟槽的目标侧壁及部分底部注入第二型的离子，形成纵截面为“L”型的第二型的目标掺杂区；目标侧壁与漏极区相邻；于沟槽内形成介质层后，于阱区内形成第二型的漂移区；于目标掺杂区、源极区之间的衬底上形成栅极结构，于源极区内形成源掺杂区，于漏极区内形成漏掺杂区。至少能够改善高压器件的HCI的可靠性问题和高压器件的SOA的性能。
本发明授权半导体器件的制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 于所述衬底内形成第一型的阱区，所述阱区内包括间隔分布的源极区、漏极区； 于所述阱区内形成沟槽，所述沟槽位于所述源极区、所述漏极区之间； 基于目标光罩形成的图形化光刻胶层向所述沟槽的目标侧壁及部分底部注入第二型的离子，形成纵截面为“L”型的第二型的目标掺杂区；所述目标侧壁与所述漏极区相邻； 去除图形化光刻胶层； 于所述沟槽内形成介质层后，基于所述目标光罩于所述介质层的顶面形成的图形化光刻胶层于所述阱区内形成底面低于所述目标掺杂区底面的第二型的漂移区；所述目标掺杂区的掺杂浓度高于所述漂移区的掺杂浓度； 于所述目标掺杂区、所述源极区之间的衬底上形成栅极结构之后，于所述源极区内形成源掺杂区，于所述漏极区内形成漏掺杂区；所述漏掺杂区的底面接触所述目标掺杂区的顶面，且高于所述介质层的底面。
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