合肥晶合集成电路股份有限公司李阳阳获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119677161B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510144514.2，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件及其制造方法是由李阳阳;黄爽;杨杰;高志杰设计研发完成，并于2025-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：于衬底上形成有第一栅极结构、第二栅极结构和层间介质层，层间介质层覆盖第一栅极结构两侧的衬底和第二栅极结构两侧的衬底，第一栅极结构沿垂直衬底表面方向上的截面的宽度大于第二栅极结构沿垂直衬底表面方向上的截面的宽度，且第一栅极结构的表面高于第二栅极结构的表面；于层间介质层上形成覆盖第一栅极结构和第二栅极结构的表面填充层；减薄所述表面填充层，以使所述第一栅极结构暴露；刻蚀第一栅极结构，以使第一栅极结构的表面与第二栅极结构的表面齐平。本申请减小或消除了第一栅极结构和第二栅极结构间的高度差异，增大了后续工艺制程的工艺窗口。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上形成有第一栅极结构、第二栅极结构和层间介质层，其中，所述层间介质层覆盖所述第一栅极结构两侧的衬底和所述第二栅极结构两侧的衬底，所述第一栅极结构沿垂直所述衬底的表面方向上的截面的宽度大于所述第二栅极结构沿垂直所述衬底的表面方向上的截面的宽度，且所述第一栅极结构的表面高于所述第二栅极结构的表面； 于所述层间介质层上形成表面填充层，所述表面填充层覆盖所述第一栅极结构的表面和所述第二栅极结构的表面，且所述表面填充层的材料为感光材料； 减薄所述表面填充层，以使所述第一栅极结构暴露； 刻蚀所述第一栅极结构，以使所述第一栅极结构的表面与所述第二栅极结构的表面齐平； 对所述表面填充层进行曝光处理，以去除剩余的所述表面填充层。
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