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龙腾半导体股份有限公司汪宇浩获国家专利权

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龙图腾网获悉龙腾半导体股份有限公司申请的专利一种集成电容的VDMOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119545861B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510082457.X,技术领域涉及:H10D30/66;该发明授权一种集成电容的VDMOS器件及其制备方法是由汪宇浩;张园园;张朝阳;陈桥梁;杨乐;张钧辉设计研发完成,并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

一种集成电容的VDMOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种集成电容的VDMOS器件及其制备方法,涉及微电子技术领域,包括:依次层叠设置的漏极、衬底和漂移区;第一栅氧化层,位于漂移区的上表面,沿垂直于衬底的方向,第一栅氧化层的正投影位于衬底的正投影的范围内;栅极,位于第一栅氧化层的上表面,栅极的正投影位于第一栅氧化层的正投影的范围内;第二栅氧化层,覆盖在栅极的上表面和侧面,第二栅氧化层的正投影与第一栅氧化层的正投影重叠;源极,位于第一栅氧化层和第二栅氧化层组成的栅氧化层的侧面,源极的高度大于栅氧化层的高度;绝缘层,位于源极的上表面;金属层,位于绝缘层的上表面,且金属层与栅极通过导电孔连接。本发明能够降低VDMOS器件的开关速率。

本发明授权一种集成电容的VDMOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种集成电容的VDMOS器件,其特征在于,包括: 依次层叠设置的漏极、衬底和漂移区; 第一栅氧化层,位于所述漂移区的上表面,沿垂直于衬底的方向,所述第一栅氧化层的正投影位于所述衬底的正投影的范围内; 栅极,位于所述第一栅氧化层的上表面,沿垂直于衬底的方向,所述栅极的正投影位于所述第一栅氧化层的正投影的范围内; 第二栅氧化层,覆盖在所述栅极的上表面和侧面,沿垂直于衬底的方向,所述第二栅氧化层的正投影与所述第一栅氧化层的正投影重叠; 源极,位于所述第一栅氧化层和所述第二栅氧化层组成的栅氧化层的上表面和侧面,且沿垂直于衬底的方向,所述源极的高度大于所述栅氧化层的高度; 绝缘层,位于所述源极的上表面; 金属层,位于所述绝缘层的上表面,且所述金属层与所述栅极通过导电孔连接; 所述源极与所述金属层之间形成电容,所述源极与所述栅极之间形成电容,所述金属层与所述栅极通过导电孔连接,使得所述电容与所述电容并联,形成并联电容。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人龙腾半导体股份有限公司,其通讯地址为:710018 陕西省西安市经济技术开发区凤城十二路1号西安关中综合保税区A区龙腾产业园;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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