山东大学徐明升获国家专利权
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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种激光退火碳化硅欧姆接触、器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119361420B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411929650.4，技术领域涉及：H01L21/04；该发明授权一种激光退火碳化硅欧姆接触、器件及其制备方法是由徐明升;李果;李雅鑫;韩吉胜;徐现刚;钟宇设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种激光退火碳化硅欧姆接触、器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体器件领域，涉及一种激光退火碳化硅欧姆接触、器件及其制备方法。对N型4H‑SiC衬底进行RCA标准清洗，所述N型4H‑SiC衬底上设置有两层外延层，分别为缓冲层和N型掺杂层；采用离子注入法在4H‑SiC外延层中制作P型掺杂区和N型掺杂区，快速热退火，得到外延片；在所述外延片的P型和N型区上方沉积金属层形成源极，对源极区域进行高能激光退火，形成欧姆接触。本发明通过AlTiNi或NiTi金属系与激光退火工艺的配合，在高能量密度下，使金属和碳化硅反应形成复合物的同时在界面形成硅，有效地提升了欧姆接触效果，可同时实现N型和P型欧姆接触。
本发明授权一种激光退火碳化硅欧姆接触、器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种激光退火碳化硅欧姆接触的制备方法，其特征在于，包括： 对N型4H-SiC衬底进行RCA标准清洗，所述N型4H-SiC衬底上设置有两层外延层，分别为缓冲层和N型掺杂层； 采用离子注入法在4H-SiC外延层中制作P型掺杂区和N型掺杂区，快速热退火，得到外延片； 在所述外延片的P型和N型区上方沉积金属层形成源极，对源极区域进行高能激光退火，形成欧姆接触； 所述金属层为AlTiNi复合金属层或NiTi复合金属层； 所述高能激光退火的条件为激光器波长为248nm-532nm，能量密度为2.5Jcm2-2.75Jcm2，激光能量瞬时温度达到2000℃以上； 所述AlTiNi复合金属层的厚度为Ni50nm，Ti50nm，Al50nm； 所述NiTi复合金属层的厚度为Ni50nm，Ti50nm。
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