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龙图腾网获悉上海科技大学申请的专利异型腔内壁蒸镀磁控溅射靶系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119663206B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411830712.6，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权异型腔内壁蒸镀磁控溅射靶系统是由董鹏;王艳江;赵洋;李军设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本异型腔内壁蒸镀磁控溅射靶系统在说明书摘要公布了：本发明异型腔内壁蒸镀磁控溅射靶系统，涉及对超导加速腔体内壁溅射镀膜的高能脉冲磁控溅射领域。本发明包括适于装载超导加速腔体的真空机构、设于超导加速腔体内腔中的磁控溅射靶机构和与磁控溅射靶机构连接的驱动机构。本发明实现了环状靶材在超导加速腔体内腔中的升降，从而使等离子体能够在超导加速腔体内腔中指定的区域放电以完成对相应区域的镀膜，同时能够控制负电极电源的功率以及环状靶材的溅射时间来实现均匀镀膜，有利于控制薄膜厚度的均匀性和粘附性；此外，驱动机构具有较大行程的移动范围，能够满足对多cell超导加速腔体蒸镀薄膜的需求。

本发明授权异型腔内壁蒸镀磁控溅射靶系统在权利要求书中公布了：1.一种异型腔内壁蒸镀磁控溅射靶系统，其特征在于：包括适于装载超导加速腔体（100）的真空机构（1）、设于所述超导加速腔体（100）内腔中的磁控溅射靶机构（2）和与所述磁控溅射靶机构（2）连接的驱动机构（3）； 所述磁控溅射靶机构（2）包括从上至下依次连接的电极引出杆（21）、电极盘（22）、环状靶材（23）和底部支撑件（27）；所述环状靶材（23）的内腔中设有冷却柱（24），所述冷却柱（24）的外壁上环绕设有多个永磁体（25）和多个绝缘体（26），所述永磁体（25）和绝缘体（26）沿冷却柱（24）的轴向方向依次间隔排列；所述环状靶材（23）的底部与底部支撑件（27）连接； 所述电极盘（22）的顶部设有气路盘（28），所述气路盘（28）的顶部设有顶部支撑件（29），所述气路盘（28）的出气口位于气路盘（28）底部且位于所述环状靶材（23）的外部；所述电极引出杆（21）依次穿过气路盘（28）和顶部支撑件（29）并向真空机构（1）的外部延伸； 所述气路盘（28）中设有环状气路通道（28.1），所述气路盘（28）上还设有与所述环状气路通道（28.1）相连通且向真空机构（1）的外部延伸的气路管（28.2）；所述气路盘（28）的底部设有多个沿环状气路通道（28.1）的周向方向依次排列且均与环状气路通道（28.1）连通相的出气孔（28.3），所述出气孔（28.3）位于环状靶材（23）的外部； 所述冷却柱（24）中设有依次连通的进液通道、冷却腔（24.1）和出液通道；所述进液通道和出液通道的延伸方向均与冷却柱（24）的延伸方向一致； 所述进液通道的进液口处设有与之连通的进液管（24.2），所述出液通道的出液口处设有与之连通的出液管（24.3），所述进液管（24.2）和出液管（24.3）均向真空机构（1）的外部延伸。

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