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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利SOT-MRAM器件制备方法及SOT-MRAM器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300698B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411814539.0，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权SOT-MRAM器件制备方法及SOT-MRAM器件是由李庆修;杨雯龙;冀正辉设计研发完成，并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本SOT-MRAM器件制备方法及SOT-MRAM器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SOT‑MRAM器件制备方法及SOT‑MRAM器件，属于磁性存储器技术领域。本发明先在MTJ薄膜表面沿厚度方向依次沉积插层和硬掩模层；再沉积介质层，并暴露出硬掩模层；然后使硬掩模层发生化学反应，该化学反应下，硬掩模层与其他层之间选择比较大，因此可精准去除硬掩模层，所以相比于传统的CMP方式，工艺窗口优势更明显；同时在去除硬掩模层的过程中，由于插层的存在能够防止MTJ薄膜氧化，并且该插层可以采用特定材料，从而可以进一步增强SOT效率。此工艺流程实施简单，而且相比顶钉扎SOT‑MRAM器件，底钉扎SOT‑MRAM器件的电学、磁学性质表现更加优越。

本发明授权SOT-MRAM器件制备方法及SOT-MRAM器件在权利要求书中公布了：1.一种SOT-MRAM器件制备方法，其特征在于，包括： 在衬底的表面形成柱状结构；所述柱状结构包括沿背离所述衬底的方向依次设置的MTJ薄膜、插层和硬掩模层；所述MTJ薄膜至少包括沿背离所述衬底的方向依次设置的参考层、势垒层和自由层； 在具有所述柱状结构的所述衬底的表面沿厚度方向依次沉积第一介质层和第二介质层，并暴露出所述硬掩模层的表面； 暴露出所述硬掩模层的表面后，通过使所述硬掩模层发生化学反应，去除所述硬掩模层，且通过使所述第二介质层发生化学反应，去除所述第二介质层，暴露出所述插层的表面形成凹槽；所述插层作为所述凹槽的底面；所述化学反应下，所述硬掩模层与其他层之间选择比较大； 采用掠入射刻蚀的方式去除所述凹槽的侧壁，以在所述衬底的表面形成待沉积轨道层区域；在采用所述掠入射刻蚀的方式去除所述凹槽的侧壁的过程中，所述第一介质层的沉积高度与所述插层的高度齐平，或者超出所述插层的高度； 在所述待沉积轨道层区域沉积轨道层，制备得到所述SOT-MRAM器件。

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