季华实验室刘超晖获国家专利权
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龙图腾网获悉季华实验室申请的专利单光子雪崩二极管及其制作方法、单光子探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208429B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411698027.2，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权单光子雪崩二极管及其制作方法、单光子探测器是由刘超晖;刘冰;兰潇健;马静设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本单光子雪崩二极管及其制作方法、单光子探测器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单光子雪崩二极管及其制作方法、单光子探测器，涉及光学检测技术领域，单光子雪崩二极管包括硅层和逻辑晶圆，硅层刻蚀形成填充区，填充区中填充有二氧化硅，硅层中设置有雪崩区和PN结；逻辑晶圆设置于硅层的底部，且逻辑晶圆与硅层相互键合，PN结靠近逻辑晶圆设置，雪崩区设置于PN结与填充区之间。在填充区填满不具备吸收近紫外光能力的二氧化硅，这样就使得近紫外光穿过二氧化硅进入硅层后，被硅层吸收生成电子空穴对，此时电子空穴对与雪崩区之间的距离大幅缩减，这样多个电子空穴对在迁移过程中发生的电子空穴对复合的数量就会降低，从而提高整个单光子雪崩二极管的检测效率。
本发明授权单光子雪崩二极管及其制作方法、单光子探测器在权利要求书中公布了：1.一种单光子雪崩二极管，其特征在于，包括： 硅层，所述硅层刻蚀形成填充区，所述填充区中填充有二氧化硅，所述硅层中设置有雪崩区和PN结； 逻辑晶圆，所述逻辑晶圆设置于所述硅层的底部，且所述逻辑晶圆与所述硅层相互键合，所述PN结靠近所述逻辑晶圆设置，所述雪崩区设置于PN结与所述填充区之间； 所述硅层中形成有陷光结构，所述陷光结构设置于所述填充区的底部，所述陷光结构为尖头朝向所述雪崩区的锥形结构。
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