江苏优众微纳半导体科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏优众微纳半导体科技有限公司申请的专利一种基于空间耦合模理论的介质超表面逆向优化方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119578072B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411653660.X,技术领域涉及:G06F30/20;该发明授权一种基于空间耦合模理论的介质超表面逆向优化方法是由请求不公布姓名设计研发完成,并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于空间耦合模理论的介质超表面逆向优化方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于空间耦合模理论的介质超表面逆向优化方法,涉及光学领域,该方法包括以下步骤:基于超表面创建截断波导阵列,依据截断波导阵列计算每个波导的导模及传播常数,并利用耦合矩阵将相邻的波导进行耦合,得到波导阵列;将输入光场耦合进波导阵列中,基于空间耦合模理论模型模拟光在波导中的传播,并利用瑞利‑索末菲衍射理论将近场强度分布转换为远场强度分布;通过损失函数计算目标强度与远场强度之间的差异,评估当前超表面设计的效果,并通过优化算法逐步调整波导单元的几何参数。本发明通过空间耦合模理论模型,解决了超表面设计中的高效建模与优化问题。
本发明授权一种基于空间耦合模理论的介质超表面逆向优化方法在权利要求书中公布了:1.一种基于空间耦合模理论的介质超表面逆向优化方法,其特征在于,该优化方法包括以下步骤: S1、基于超表面创建截断波导阵列,依据截断波导阵列计算每个波导的导模及传播常数,并利用耦合矩阵将相邻的波导进行耦合,得到波导阵列; S2、将输入光场耦合进波导阵列中,基于空间耦合模理论模型模拟光在波导中的传播,并利用瑞利-索末菲衍射理论将近场强度分布转换为远场强度分布; S3、通过损失函数计算目标强度与远场强度之间的差异,评估当前超表面设计的效果,并通过优化算法逐步调整波导单元的几何参数; 所述波导的导模包括:光波在波导中的电场分布和磁场分布,其中, 光波在波导中电场分布的计算公式为: 式中,Ex,y,zt表示波导中的电场分布;表示模式i的横向电场分量;uiz表示模式i在z处的振幅;x和y表示空间坐标;z表示纵向坐标;t表示横向;N表示波导阵列中波导的总数量; 光波在波导中磁场分布的计算公式为: 式中,Hx,y,zt表示波导中的磁场分布;表示模式i的横向磁场分量;uiz表示模式i在z处的振幅;x和y表示空间坐标;z表示纵向坐标;t表示横向;N表示波导阵列中波导的总数量。
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