荣芯半导体(宁波)有限公司苗吉峰获国家专利权
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龙图腾网获悉荣芯半导体(宁波)有限公司申请的专利离子注入层的光学临近效应修正方法和半导体器件制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119148461B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411604873.3，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权离子注入层的光学临近效应修正方法和半导体器件制造方法是由苗吉峰;吴胜武设计研发完成，并于2024-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本离子注入层的光学临近效应修正方法和半导体器件制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种离子注入层的光学临近效应修正方法和半导体器件制造方法，该离子注入层的学临近效应修正方法，先切去离子注入层的原始版图中小间距的角对角结构中的凸角，再对切角后的版图进行光学临近效应修正（OPC），可以规避了掩模规则检查对这些角对角结构的限制，增大光学临近效应修正的空间，从而使OPC获得的最终版图的关键尺寸能符合目标值，能够解决现有技术下离子注入层中的角对角结构图形易失真而导致工艺热点的问题，提高OPC修正的准确性，进而提供更加准确的离子注入层的最终版图。本发明的半导体器件制造方法，由于利用了本发明的离子注入层的光学临近效应修正方法来获得所需的离子注入层的最终版图，因此最终能提高产品的良率和性能。
本发明授权离子注入层的光学临近效应修正方法和半导体器件制造方法在权利要求书中公布了：1.一种离子注入层的光学临近效应修正方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供相关前层的版图，并基于所述相关前层的版图进行逻辑运算，以产生离子注入层的原始版图； 从所述原始版图中找到需要处理的角对角结构，所述角对角结构包括张角方向不同的两个凸角，且两个所述凸角的顶点之间的间距小于预设距离； 通过EDA工具版图设计软件切去所述角对角结构中的各个所述凸角，切角后每个所述凸角处产生一个新的直线边或者产生一个向外凸出的圆角，得到切角后的版图； 利用光学临近效应修正软件对所述切角后的版图进行光学临近效应修正，得到所述离子注入层的最终版图； 其中，在进行光学临近效应修正时，被所述EDA工具版图设计软件切去各个所述凸角后的所述角对角结构会被补偿充足，以使利用所述最终版图所获得的曝光后的光刻胶图形更接近目标值。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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