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龙图腾网获悉南昌凯迅光电股份有限公司申请的专利一种红光LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119108471B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411586402.4，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种红光LED芯片及其制作方法是由陈宝;戴文;林擎宇;赵敏博;孙岩设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种红光LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及芯片技术领域，具体是涉及一种红光LED芯片及其制作方法。该红光LED芯片自下而上包括背面电极、Si衬底、Au键合层、In键合层、过渡阻挡层、镜面层、介质膜层、欧姆接触层、Au填充阻挡层、GaP窗口层、P型过渡层、P型限制层、P型波导层、发光层、N型半导体层、粗化球形孤岛、钝化层、正面电极；Au填充阻挡层位于所述芯片切割道投影区域并被介质膜层包覆；欧姆接触层凸向所述镜面层的表面为弧形表面；粗化球形孤岛的表面均匀分布有金字塔绒面。本发明从制作方法上进行优化，得到的红光LED芯片发光效率高，可靠性好，器件整体性能稳定。

本发明授权一种红光LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种红光LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： S1.在GaAs衬底上，利用MOCVD生长出红光LED外延片，依次生长N型半导体层、发光层、P型半导体层、GaP窗口层；所述P型半导体层按外延片生长方向自下而上依次为P型波导层、P型限制层、P型过渡层；所述P型过渡层按照材料由P-Al40GaInP向P-Al20GaInP依次过渡至所述GaP窗口层；所述N型半导体层的粗化层材料由N-Al60GaInP向N-Al20GaInP依次朝GaP窗口层方向过渡，厚度为3μm-4μm； S2.在外延片上，利用光刻蚀刻技术，在GaP窗口层表面制作图案化的P面图形；所述图案化的P面图形的制作方法是：利用ICP蚀刻掉裸露出来的GaP窗口层，并向下蚀刻至P型限制层停止，然后用光阻去除液去除表面的光刻胶获得； S3.利用PECVD在表面第一次沉积介质膜层； S4.利用光刻技术，在与所述芯片切割道相对应的区域通过剥离方式插入Au填充阻挡层； S5.利用PECVD在表面第二次沉积介质膜层； S6.利用光刻蚀刻技术，在图案化的P面图形台阶上蚀刻出介质膜通孔并截止至GaP窗口层，其中通孔图形与图案化的P面图形形状一致； S7.利用金属蒸镀机热蒸镀方式蒸镀欧姆接触层； S8.利用电子束蒸镀方式分别蒸镀镜面层、过渡阻挡层、In键合层； S9.取一Si衬底，利用电子束蒸镀方式，在Si衬底表面蒸镀一层Au键合层； S10.将外延片及Si衬底，通过金属键合方式，键合在一起，并用化学腐蚀方式去除GaAs衬底，露出N型半导体层的粗化层；其中，键合温度为200±5℃，压力为2000±10kgf； S11.通过负胶光刻并配合lift-off工艺完成正面电极制作； S12.采用正胶套刻制作切割道图形，利用干法蚀刻方式进行切割道蚀刻，蚀刻至介质膜层； S13.对除正面电极以外的粗化层表面旋涂分散剂胶体，利用加热固化方式使分散剂胶体变成均匀分布的掩膜圆柱或圆球，通过干法蚀刻并配合粗化液，使粗化层变成粗化球形孤岛并且表面呈金字塔绒面，最后利用清洗机将分散剂胶体冲掉； S14.利用PECVD在除正面电极及S13处理后的表面以外的区域沉积钝化层，通过光刻蚀刻，完成钝化层图案化； S15.通过机械减薄Si衬底并进行背面电极制作、激光切割、测试，完成LED芯粒制作。

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