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龙图腾网获悉金华富芯微纳电子科技有限公司申请的专利MEMS压力传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119043537B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411538462.9，技术领域涉及：G01L1/18；该发明授权MEMS压力传感器及其制备方法是由曹阳;张裕华;余雅俊;刘建哲;徐良设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本MEMS压力传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及MEMS微机械加工技术领域的一种MEMS压力传感器及其制备方法，MEMS压力传感器包括基底、硅片杯状结构层、第一绝缘层、缓冲层、第一保护层、金属层、第二绝缘层和第二保护层。本申请的MEMS压力传感器具有灵敏度高、响应时间快、器件稳定性强等优点，适合作为高性能需求的压力传感器场景使用。

本发明授权MEMS压力传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS压力传感器，其特征在于，包括： 基底； 硅片杯状结构层，所述硅片杯状结构层覆盖所述基底上表面，所述硅片杯状结构层朝向基底一侧形成应力腔，背离基底的一侧的表层形成离子注入区块掺杂层； 第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述硅片杯状结构层和所述离子注入区块掺杂层，所述第一绝缘层设有使所述离子注入区块掺杂层的部分上表面裸露的第一通孔； 缓冲层，所述缓冲层覆盖所述第一绝缘层，所述缓冲层设有与所述第一通孔相通的第二通孔； 第一保护层，所述第一保护层覆盖所述缓冲层，所述第一保护层设有与所述第二通孔相通的第三通孔； 金属层，所述金属层覆盖所述第一保护层并填满所述第一通孔、第二通孔和第三通孔； 第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述金属层，所述第二绝缘层设有使所述金属层的部分上表面裸露的第四通孔； 第二保护层，所述第二保护层覆盖所述第二绝缘层，所述第二保护层设有与所述第四通孔相通的第五通孔； 所述第一绝缘层和所述第二绝缘层均选自SIO2绝缘层，所述第一保护层和所述第二保护层均选自SIN保护层，所述第一绝缘层和第一保护层的厚度分别独立的为1000A-1500A，所述缓冲层选自Al2O3缓冲层，所述缓冲层的厚度为1000A-2000A； 所述第一保护层与所述第二绝缘层之间设置有磷掺多晶硅层，所述磷掺多晶硅层覆盖于所述第一保护层的部分表面且所述磷掺多晶硅层的部分表面裸露于所述第四通孔，所述第二绝缘层与所述第一保护层之间的部分直接进行连接。

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