龙腾半导体股份有限公司冯巍获国家专利权
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龙图腾网获悉龙腾半导体股份有限公司申请的专利一种功率器件PCM监控结构及监控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119447110B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411521943.9，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权一种功率器件PCM监控结构及监控方法是由冯巍;季伟;江桂钦;王鑫设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种功率器件PCM监控结构及监控方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种功率器件PCM监控结构及监控方法，涉及功率器件领域，本发明通过在晶圆的划片道设计及布局多个层叠设置的电阻条，该电阻条与SJMOS中相邻的两个p柱相接，电阻条的数量与p柱的p型离子注入次数相同，通过测试划片道内电阻条的电阻值，实现对不同Lot的晶圆中SJMOS的p柱的任意一层或任意多层pillar电阻的检测，通过对比不同Lot的晶圆中SJMOS的p柱的任意一层或任意多层pillar电阻值的差异，确认pillar掺杂与BVDSS稳定性的对应关系。通过对比结果可以精准、快速地找到BVDSS波动的因素，更好的实现量产工艺的稳定。
本发明授权一种功率器件PCM监控结构及监控方法在权利要求书中公布了：1.一种功率器件PCM监控结构，其特征在于，包括：位于晶圆的划片道中的多个层叠设置的电阻条，所述电阻条与SJMOS中相邻的两个p柱相接，所述电阻条的数量与所述p柱的p型离子注入次数相同，所述p柱包括自下而上堆叠的多个pillar，所述pillar是通过外延层生长和p型离子注入形成的，所述电阻条的p型离子注入剂量与所述p柱中对应pillar的p型离子注入剂量相同，通过测量所述电阻条的电阻值，实现对不同Lot的晶圆中所述SJMOS的p柱的任意一层或任意多层pillar电阻的检测，通过对比不同Lot的晶圆中所述SJMOS的p柱的任意一层或任意多层pillar电阻值的差异，确认pillar掺杂与BVDSS稳定性的对应关系。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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