上海中鑫赛斯半导体有限公司童丽丽获国家专利权
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龙图腾网获悉上海中鑫赛斯半导体有限公司申请的专利一种产品宽度可调节的真空腔体获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223028664U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422363464.0,技术领域涉及:B23K3/08;该实用新型一种产品宽度可调节的真空腔体是由童丽丽设计研发完成,并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种产品宽度可调节的真空腔体在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种产品宽度可调节的真空腔体,涉及半导体芯片焊接技术领域,旨在解决当前焊接炉大多没有真空区,焊接产生的气体无法从熔化的锡液中溢出,产生气泡影响产品质量,而有真空区的焊接炉又只能做固定大小的产品,通用性低的技术问题,包括箱体部分、加热部分、输送调宽部分以及密封部分,所述箱体部分包括上真空箱体和下真空箱体,所述下真空箱体上部安装有用于在上真空箱体和下真空箱体合并后起到密封效果的密封圈一,所述下真空箱体内部设有水道,且水道内固定设置有用于通入冷却液以防止密封圈一温度过高老化发硬的冷水管道,所述上真空箱体的下部设有真空泵连接口。本实用新型具有的优点。
本实用新型一种产品宽度可调节的真空腔体在权利要求书中公布了:1.一种产品宽度可调节的真空腔体,其特征在于,包括箱体部分、加热部分、输送调宽部分以及密封部分; 所述箱体部分包括上真空箱体(1)和下真空箱体(2),所述下真空箱体(2)上部安装有用于在上真空箱体(1)和下真空箱体(2)合并后起到密封效果的密封圈一(10),所述下真空箱体(2)内部设有水道,且水道内固定设置有用于通入冷却液以防止密封圈一(10)温度过高老化发硬的冷水管道(4),所述上真空箱体(1)的下部设有真空泵连接口(3)。
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