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龙图腾网获悉江苏爱矽半导体科技有限公司申请的专利一种半导体的晶圆顶升装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153385B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411218504.0，技术领域涉及：H01L21/687；该发明授权一种半导体的晶圆顶升装置是由彭劲松;张巍;郭天宇;刘志坤设计研发完成，并于2024-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体的晶圆顶升装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体的晶圆顶升装置，属于半导体处理设备技术领域。该发明包括工艺腔体、支撑部和晶圆，还包括：顶升组件，匀流通气组件，阻排气组件；通过蓄气槽、环形挡板的设置，确保活动部在上升过程中受到的是均匀且稳定的推力，避免了因压力不均导致的磨损、倾斜或卡顿现象，同时仅需一个输气泵即可实现气体均匀排放，无需额外的阀门控制系统；通过磁控机制在顶升过程中实现了对通气槽的开闭控制，且在顶升完成后会自动排气，无需额外泵吸处理，节约了能源消耗；波纹套管与密封垫双重保障，确保极端情况也能提供支撑，弹簧与波纹套管协同缓冲减振，以保护晶圆；顶针灵活调节，适应多规格晶圆的顶升处理，增强了设备通用性。

本发明授权一种半导体的晶圆顶升装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体的晶圆顶升装置，包括工艺腔体（1）、支撑部和晶圆（10），所述支撑部由平面部（2）和支撑轴（21）所组成，所述平面部（2）上安装有吸盘（4），所述平面部（2）位于工艺腔体（1）内，用于支撑晶圆（10），平面部（2）和吸盘（4）内对应间隔开设有若干通槽（22），所述支撑轴（21）与平面部（2）底部连接，且自工艺腔体（1）内部延伸到工艺腔体（1）外部，其特征在于，还包括： 顶升组件：所述顶升组件设置于工艺腔体（1）内部，所述顶升组件用于弹性升降晶圆（10）； 所述顶升组件包括活动部（3）、安装腔（5）和波纹套管（9），所述安装腔（5）位于工艺腔体（1）的底部侧壁内，所述活动部（3）的底部安装有密封垫（34），所述活动部（3）的顶部贯穿工艺腔体（1）的内侧底壁，所述活动部（3）的顶部安装有顶针（31），所述顶针（31）的底部设置有螺杆（32），所述活动部（3）的顶部设置有与螺杆（32）相啮合的螺槽（33）； 匀流通气组件：所述匀流通气组件设置于工艺腔体（1）内部，所述匀流通气组件用于保证气流均匀作用于弹性顶升组件； 所述匀流通气组件包括工艺腔体（1）底部内设置的蓄气槽（6），所述蓄气槽（6）的底壁连接有通气管（61），朝向平面部（2）外侧的所述蓄气槽（6）的一侧开设有排气环槽（62）；所述匀流通气组件还包括工艺腔体（1）底部设置的凸台（11）和排气环槽（62）底部设置的限位腔（71），所述限位腔（71）的顶部贯穿排气环槽（62）的底壁，所述限位腔（71）的底壁沿其边缘环形连接有若干第一弹簧（72），所述第一弹簧（72）的上端固定连接有环形挡块（7），朝向蓄气槽（6）的所述环形挡块（7）的一侧为棱形设置，所述环形挡块（7）呈环状且其截面为直角梯形，第一弹簧（72）处于初始状态下的所述环形挡块（7）的顶部与排气环槽（62）的顶部形成接触密封； 阻排气组件：所述阻排气组件设置于工艺腔体（1）的底部，所述阻排气组件根据匀流通气组件的状态控制顶升组件内部的气路流通； 所述阻排气组件包括凸台（11）底部设置的滑动腔（81）、通气槽（12）以及环形挡块（7）底部安装的磁柱（73），所述限位腔（71）与滑动腔（81）之间贯穿设置有腰孔（74），靠近于腰孔（74）的所述滑动腔（81）的侧壁上固定连接有第二弹簧（82），所述第二弹簧（82）的端部固定连接有截流磁板（8），所述通气槽（12）的端部贯穿工艺腔体（1）和凸台（11）的侧壁，所述通气槽（12）的底部安装有滤板（13）。

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