上海乾合微电子有限公司刘刚获国家专利权
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龙图腾网获悉上海乾合微电子有限公司申请的专利一种射频开关及射频芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223040004U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422147894.9，技术领域涉及：H03K17/16；该实用新型一种射频开关及射频芯片是由刘刚;杨震;汪紫薇;王贵来;黄小妍;郭天生;赵鹏设计研发完成，并于2024-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种射频开关及射频芯片在说明书摘要公布了：本实用新型涉及射频开关技术领域，公开了一种射频开关及射频芯片，射频开关包括第一开关支路、第二开关支路、第三开关支路和第三开关支路；在实际使用时，本实用新型通过在第三开关支路的输出端和第四开关支路的输出端分别设置MOS管N5和MOS管N6，以及让MOS管N5的栅极分别通过电容C1和电容C2与自身的漏极和源极电连接，让MOS管N6的栅极分别通过电容C3和电容C4与自身的漏极和源极电连接，这样在保证射频开关具有良好的ESD能力时还能提供射频开关的隔离度，提高了射频开关和射频芯片的性能。
本实用新型一种射频开关及射频芯片在权利要求书中公布了：1.一种射频开关，其特征在于，包括第一开关支路、第二开关支路、第三开关支路和第四开关支路； 所述第一开关支路的输入端和第二开关支路的输入端电连接，为射频开关的输入端； 所述第一开关支路的输出端为射频开关的第一输出端，且与第三开关支路的输出端电连接，所述第二开关支路的输出端为射频开关的第二输出端，且与第四开关支路的输入端电连接； 所述第三开关支路的输出端与MOS管N5的漏极电连接，MOS管N5的源极通过电感L1一端与电感Lc一端电连接，MOS管N5的栅极分别通过电容C1和电容C2与自身的漏极和源极电连接； 所述第四开关支路的输出端与MOS管N6的漏极电连接，MOS管N6的源极通过电感L2一端与电感Lc一端电连接，MOS管N6的栅极分别通过电容C3和电容C4与自身的漏极和源极电连接，电感Lc另一端接地。
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