四川三三零半导体有限公司李小岚获国家专利权
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龙图腾网获悉四川三三零半导体有限公司申请的专利一种微波等离子体化学气相沉积生长基台升降装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223033452U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422132844.3，技术领域涉及：C23C16/458；该实用新型一种微波等离子体化学气相沉积生长基台升降装置是由李小岚;刘旭东;冯建伟设计研发完成，并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微波等离子体化学气相沉积生长基台升降装置在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种微波等离子体化学气相沉积生长基台升降装置，包括与真空腔室的底部竖向滑动连接且上端与生长基台相连接的升降柱，插接筒，密封圈，升降调节模块，多个导向柱，基座，丝杠，驱动单元，升降台，升降台的顶部与升降柱的底部相连接，基座上还设置有用于对升降台辅助支撑的辅助支撑单元。根据本实用新型的微波等离子体化学气相沉积生长基台升降装置，不仅能够满足对生长基台进行升降调节的基本需求，而且能够在完成高度调节之后，通过支撑结构对生长基台进行辅助支撑，避免长时间仅仅依靠升降调节结构对生长基台进行支撑、独自承担生长基台的作用力，从而提高装置的稳定性。
本实用新型一种微波等离子体化学气相沉积生长基台升降装置在权利要求书中公布了：1.一种微波等离子体化学气相沉积生长基台升降装置，包括与真空腔室101的底部竖向滑动连接且上端与生长基台相连接的升降柱104，真空腔室101的底部设置有与升降柱104相适配的插接筒102，插接筒102的内壁上设置有与升降柱104相适配的密封圈103，还包括设置在真空腔室101底部且用于对升降柱104进行升降调节的升降调节模块，其特征在于：所述升降调节模块包括设置在真空腔室101底部底壁上的多个导向柱201，多个导向柱201的底部共同设置有基座202，基座202的顶部与真空腔室101的底部之间竖向转动设置有丝杠203，基座202的顶部上还设置有用于对丝杠203进行转动驱动的驱动单元，丝杠203上螺接设置有与多个导向柱201竖向滑动连接的升降台204，升降台204的顶部与升降柱104的底部相连接，基座202上还设置有用于对升降台204辅助支撑的辅助支撑单元。
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