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龙图腾网获悉上海陆芯电子科技有限公司申请的专利一种金属氧化物-场效应晶体管功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119069531B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411197148.9，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种金属氧化物-场效应晶体管功率器件及其制备方法是由林青;吴昌林;张杰设计研发完成，并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金属氧化物-场效应晶体管功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种金属‑氧化物场效应晶体管功率器件及其制备方法，其中，该器件包括：衬底；外延层，外延层位于衬底的一侧，外延层远离衬底的一侧设置有漂移区和体区；第一极性晶体外延层，第一极性晶体外延层包括至少两种子外延层，在垂直于衬底指向外延层的方向上，相邻设置的两子外延层的相对表面属于不同的晶面族的晶面；第一极性晶体外延层的导电类型和体区的导电类型相反；栅极结构，栅极结构位于外延层远离衬底的一侧；源极，源极位于外延层远离衬底的一侧，覆盖部分第一有源区；漏极，漏极位于衬底远离外延层的一侧。本发明实施例提供的技术方案有效降低了金属‑氧化物场效应晶体管功率器件的导通电阻。

本发明授权一种金属氧化物-场效应晶体管功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金属-氧化物场效应晶体管功率器件，其特征在于，包括： 衬底； 外延层，所述外延层位于所述衬底的一侧，所述外延层远离所述衬底的一侧设置有漂移区和体区； 第一极性晶体外延层，所述第一极性晶体外延层内嵌于所述体区，所述第一极性晶体外延层包括至少两种子外延层；在垂直于所述衬底指向所述外延层的方向上，相邻设置的两子外延层的相对表面属于不同的晶面族的晶面；所述第一极性晶体外延层的导电类型和所述体区的导电类型相反；所述第一极性晶体外延层构成有源区的第一有源区； 栅极结构，所述栅极结构位于所述外延层远离所述衬底的一侧； 源极，所述源极位于所述外延层远离所述衬底的一侧，覆盖部分所述第一有源区； 漏极，所述漏极位于所述衬底远离所述外延层的一侧； 所述金属-氧化物场效应晶体管功率器件还包括第二极性晶体外延层，所述第二极性晶体外延层内嵌于所述体区，所述第二极性晶体外延层和所述第一极性晶体外延层相邻设置，所述第二极性晶体外延层包括至少两种子外延层；在垂直于所述衬底指向所述外延层的方向上，相邻设置的两子外延层的相对表面属于不同的晶面族的晶面；所述第二极性晶体外延层的导电类型和所述体区的导电类型相同；所述第二极性晶体外延层构成所述有源区的第二有源区。

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